一個硅晶片能切割多少晶元

1. 硅晶片是怎麼做成cpu的

這是一個很復雜的問題~

2. 太陽能硅晶片長寬大小可任意切割嗎

太陽能硅晶片長寬大小是不可以任意切割。成品是多大就是多大啦。采購後不能自行改變。

3. 為什麼現在的晶片(wafer)越做越大

科學在發展，技術在進步啊！大了成本低啊！一片頂過去五片，呵呵
給你粘個我收藏的資料你參考下：

硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅製成硅晶棒，成為製造積體電路的石英半導體的材料，經過照相製版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然後切割成一片一片薄薄的晶圓。我們會聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，製作出更多的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中，12寸晶圓有較高的產能。
當然，生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。 晶圓是指硅半導體積體電路製作所用的硅晶片，由於其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，並經蒸餾後，製成了高純度的多晶硅，其純度高達0.99999999999。晶圓製造廠再將此多晶硅融解，再於融液內摻入一小粒的硅晶體晶種，然後將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由於硅晶棒是由一顆小晶粒在熔融態的硅原料中逐漸生成，此過程稱為「長晶」。硅晶棒再經過研磨，拋光，切片後，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是「晶圓」。

越大，越難做，但做成了掙錢多！

4. 太陽能硅晶片以及硅晶片切割機有輻射么

太陽能硅晶片以及硅晶片切割機有輻射。
1、任何溫度高於絕對零度的物體都會有輻射，所以太陽能硅晶片以及硅晶片切割機有輻射。
2、輻射指的是由場源出的電磁能量中一部分脫離場源向遠處傳播，而後再返回場源的現象，能量以電磁波或粒子的形式向外擴散。自然界中的一切物體，只要溫度在絕對溫度零度以上都以電磁波和粒子的形式時刻不停地向外傳送熱量，這種傳送能量的方式被稱為輻射。輻射本身是中性詞，但某些物質的輻射可能會帶來危害。
3、太陽能硅晶片以及硅晶片切割機的輻射屬於非電離輻射，對人體和環境無害。非電離輻射是指能量比較低，並不能使物質原子或分子產生電離的輻射。非電離輻射包括低能量的電磁輻射。有紫外線、光線、紅內線、微波及無線電波等。它們的能量不高，只會令物質內的粒子震動，溫度上升。
4、太陽能硅晶片以及硅晶片切割機本身對人和環境是無害的，但太陽能硅晶片的生產加工過程中會產生有毒氣體和液體，硅晶片切割機切割時產生的粉塵也會對人和環境造成傷害。
4、太陽能硅晶片以及硅晶片切割機對人和環境的傷害主要在生產過程中，只要做好生產過程中的防護以及有害物質的回收工作，那麼就不會造成傷害，與太陽能硅晶片以及硅晶片切割機的輻射完全沒有關系。

5. 硅晶片切割絲是什麼材料

樹脂金剛線

6. g3220和4790是同一個晶圓片切割下來的嗎

是的，基本上來差不多。引用一段話源：
每塊CPU將被進行完全測試，以檢驗其全部功能。某些CPU能夠在較高的頻率下運行，所以被標上了較高的頻率；而有些CPU因為種種原因運行頻率較低，所以被標上了較低的頻率。最後，個別CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果問題出在緩存上（緩存佔CPU核心面積的一半以上），製造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存，這意味著這塊CPU依然能夠出售，只是它可能是Celeron，可能是Sempron，或者是其它的了。

7. 硅晶片組成成分

沒加工過的矽片嗎？那是純硅

8. 生產硅晶片切割鋼線需要哪些設備

關於手機觸摸屏面板的生產工藝比較復雜，一般都是由專業的生產廠商來生產再賣給手機生產廠商。製造流程大致分為以下幾個步奏：1. 切割（比實際尺寸大單邊1MM）→2. 磨邊（做到實際一樣大小）→3. 拋光→4. 加硬→5. 超聲清洗→6. 包裝→7. 出貨大致就是以上這幾個步奏，如果要對手機觸摸屏面板進行強化的話有兩種做法，在拋光前和拋光後都可以，強化方法都是一樣的。至於是使用機械還是手工操作的問題。現在有分全自動、半自動和純手工三種作業方式。因為考慮到人力成本及生產效率，現在純手工的製造方式已經基本淘汰了。大多都是用機械切割的，效率遠遠大於手工切割。手機觸摸屏面板（玻璃）的強化——化學強化：現在一般用化學強化的方法來強化玻璃。具體做法是將處理好的玻璃浸泡在熔融狀態的硝酸鉀里。溫度：410度。浸泡時間：至少4小時。因為考慮到成本問題，所以一般還會加入催化劑。催化劑直接影響強化的時間。具體使用什麼樣的催化劑要按工藝的方法去試，每家都不同。理論是此催化劑中含有比鉀離子更加活潑的離子即可。深圳幾家大型（手機）玻璃切割廠商： 1.藍思旺科技(深圳)有限公司 2.深圳市南玻安全玻璃有限公司 3.伯恩光學(深圳)有限公司 4.深圳東方晶片製造有限公司

9. 晶元內的矽片到底是怎樣做的

如果問及CPU的原料是什麼，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？

除去硅之外，製造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合症）的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

CPU製造的准備階段

在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的製造過程。
在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接 決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝（互補型金屬氧化物半導體）。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。

准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。

光刻蝕

這是目前的CPU製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕， 由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜

在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，每個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。
重復這一過程
從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。

而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導致絕大多數的CPU癱瘓），那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。

在CPU的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。

我們希望這篇文章能夠為一些對於CPU製作過程感興趣的人解答一些疑問。畢竟作者水平有限，不可能以專業的水平把製作過程完全展示給您，如果您有興趣繼續鑽研，建議您去閱讀一些有關集成電路製造的高級教材

10. 太陽能硅晶片切割線的生產工藝 從材料到成品各要經過幾個工序 需要哪些機器生產加工越詳細越好

矽片加工工藝流程一般經過晶體生長、切斷、外徑滾磨、平邊、切片、
倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、包裝等階段。近年來光伏發電和半導體行
業的迅速發展對硅 片的加工提出了更高的要求(圖1.2)：一方面為了降低制
造成本，矽片趨向大直徑化。另一方面要求矽片有極高的平面度精度和極小
的表面粗糙度。所有這些要 求極大的提高了矽片的加工難度，由於硅材料
具有脆、硬等特點，直徑增大造成加工中的翹曲變形，加工精度不易保證。
厚度增大、晶元厚度減薄造成了材料磨削量 大、效率下降等。

矽片切片作為矽片加工工藝流程的關鍵工序，其加工效率和加工質量
直接關繫到整個矽片生產的全局。對於切片工藝技術的原則要求是：①切割
精度高、表面平行度 高、翹曲度和厚度公差小。②斷面完整性好，消除拉
絲、刀痕和微裂紋。③提高成品率，縮小刀(鋼絲)切縫，降低原材料損耗。
④提高切割速度，實現自動化切 割。
目前，矽片切片較多採用內圓切割和自由磨粒的多絲切割(固定磨粒
線鋸實質上是一種用線性刀具替代環型刀具的內圓切割)。內圓切割是傳統
的加工方法（圖 1.3a），材料的利用率僅為40％～50％左右；同時，由於
結構限制，內圓切割無法加工200mm以上的大中直徑矽片。
多絲切割技術是近年來崛起的一項新型矽片切割技術，它通過金屬絲
帶動碳化硅研磨料進行研磨加工來切割矽片（圖1.3b）。和傳統的內圓切割
相比，多絲切割 具有切割效率高、材料損耗小、成本降低(日進NWS6X2型6」
多絲切割加工07年較內圓切割每片省15元)、矽片表面質量高、可切割大尺寸材料、方便後續加工等特點(見表1.1)。