硅的切割注意什麼

① 矽片切割一般有什麼難點啊

現在光伏行業興興向榮，發展迅速。據不完全統計，現在全國已有兩百多家矽片生產企業。2014年中國多晶硅生產規模明顯增長，預計全年產量將超過13萬噸，和2013年的8萬噸相比，同比增加62.5%，其中前三季度多晶硅產量已經達到9.8萬噸。矽片產能迅速增長勢必帶來矽片切割液的需求量增加。但現在矽片切割液呈現的問題依舊比較突出，主要表現在以下五個方面：
1、切割後的表面TTV大，有線痕：由於矽片在切割過程中會發生脆性崩裂或劃痕，影響了矽片表面的粗糙度和翹曲度，使得所加工的矽片總厚度存在誤差。
2、不耐酸耐腐：由於矽片切割設備在酸性環境下會生銹腐蝕，質量差的切割液會加重腐蝕程度，所以如何防腐防銹是判斷矽片切割液優劣的關鍵所在。
3、使用壽命短：現在很多矽片切割液使用的添加劑質量差，不利於切割後清洗，從而縮短了金剛砂線的使用壽命。
4、產生氫氣：切割過程中切屑硅粉由於粒度太細與水反應會釋放出氫氣，長時間的生產積累會產生安全隱患。
5、生產成本高：目前很多切割液由於技術和使用方法的局限，不能回收利用，無形中又增加了企業的運營成本。
由於這五大難題的客觀存在，使得很多矽片生產廠家陷入了困境。不及時解決這個問題，不僅嚴重影響了生產，更會制約企業的長遠發展。
基於以上幾大難題，常州君合科技研製出了一種新型的矽片切割液——金剛砂線切割液。它是一種新型產品，主要用於單晶硅、多晶硅等非金屬脆硬材料的金剛砂線切割，具有優異的潤滑、冷卻、防腐、防銹、氫氣抑制功能，切割後的矽片表面TTV小，無線痕，並且能夠延長金剛砂線的使用壽命。而且無需稀釋，可以直接使用在矽片切割的線切割機床上。由於其優越的潤滑防銹性能，完美的解決了矽片在切割過程中產生的各種問題，減少了生產成本，從而減輕了企業的負擔。

② 硅塊在切割過程中會產生輻射嗎

輻射是物質本身的性質，只有在衰變過程中才會放射出輻射粒子，與外界的壓力溫度，與物理和化學變化無關，只有在硅中含有衰變物質時才會產生對人體有害的輻射，普通硅不會產生輻射

③ 切割硅塊

用金剛石切割~~~

回答你補充的問題：

在我們半導體行業，切割硅塊（我們通常稱為硅錠）採用內圓切割機切割晶圓，光滑的表面是在後續工藝中進行化學腐蝕/打磨/拋光/清洗的，這樣才能得到半導體級別的晶圓……

④ 切割矽片的切割工作對人體有害嗎

切割廢屑主要是Si屑．
粗製矽片切割，就是將硅錠切割成矽片，目前基本採用線切割回法，添加SiC切割液，Si和答SiC本
身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒
性極低,因為雜質含量是非常非常低的．
工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用
Cu,
Ti,
Ni,
Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒
成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒
（一般情況下是無毒的）．
需要做好勞動保護

⑤ 怎麼切割矽片

laser

⑥ 非硅太陽能和單晶、多晶硅太陽能切割方法有什麼不同有什麼需要注意的

激光切割機切割單晶硅和多晶矽片時是一樣的.

如果是非晶硅應該不是一樣的,我們廠的非晶硅切割是用玻璃切割機切的,因為非晶硅層是沉積在玻璃上的.

⑦ 矽片切片有幾個工序包含哪些方面的安全隱患

1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致矽片上專產生相關線痕。屬
2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中，SIC顆粒「卡」在鋼線與矽片之間，無法溢出，造成線痕。
表現形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發亮，較其它線痕更加窄細。
3、密布線痕（密集型線痕）：由於砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿迴路系統問題，造成矽片上出現密集線痕區域。
4、錯位線痕：由於切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產生的線痕。
在整個切割過程中，對矽片的質量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進給速度等。
線痕和TTV: 線痕和TTV是在矽片加工當中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現，而線痕是在收線弓的時候容易出現。

⑧ 切割矽片的切割工作對人體有害嗎

切割復廢屑主要是Si屑．制

粗製矽片切割，就是將硅錠切割成矽片，目前基本採用線切割法，添加SiC切割液，Si和SiC本身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒性極低,因為雜質含量是非常非常低的．

工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用Cu, Ti, Ni, Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒（一般情況下是無毒的）．

需要做好勞動保護

⑨ 矽片切割過程中回有毒嗎

切割廢屑主要是Si屑．
粗製矽片切割，就是將硅錠切割成矽片，目前基本采專用線切割屬法，添加SiC切割液，Si和SiC本身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒性極低,因為雜質含量是非常非常低的．
工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用Cu,
Ti,
Ni,
Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒（一般情況下是無毒的）．