磁控濺射儀器怎麼用

⑴ 超高真空磁控濺射儀國外廠家有哪些

美國denton

⑵ 關於磁控濺射的幾個問題，謝謝大家了

回答問題可能不是特別對口，部分題目不是特別詳細，也沒辦法詳細。如果有疑問再追問或者聯系我。
1.膜層厚度測量問題：如果是純凈的氧化鋅，或者說是透明的，就可以用光學方法測量膜層厚度，如果是非透明的，就用台階儀，這量類的測量厚度的光學儀器不少，我不再細說。需要注意的是選擇適當的測量范圍的儀器。
2.一般磁控濺射可以分為直流（二級）濺射、中頻、射頻。直流濺射電源便宜，沉積膜層緻密度較差，一般國內光熱、薄膜電池選擇使用的方法，能量較低，濺射靶材為金屬靶材。射頻能量較高，一般濺射陶瓷靶材。中頻兩者之間，濺射靶材也為金屬靶材。
3.金屬靶材濺射過程中，具有濺射速率和沉積速率。濺射速率是靶材原子被濺射逸出的情況，而沉積在基體上的情況為沉積速率，兩者在濺射氣壓等外界環境不同的情況下，並不成正比。但是需要固定工藝下的長時間計算可以確定鍍膜時間的。（但是這個時間一般按照濺射完成後膜層的厚度測量來的更加准確）
4.在金屬靶材濺射過程中，如果想達到氧化亞鋅的理想值，比較難，需要精確控制濺射產額和氧氣流量。一般濺射物質為氬氣（價格便宜，濺射產額較高）。主要為控制過程，國內的質量流量計一般都比較粗，建議用壓電陶瓷閥，德國的sus04。另一個方案是射頻濺射氧化亞鋅陶瓷靶材，這個容易控制濺射後沉積膜層的兩元素的比值。但是需要靶材符合兩元素的比之條件，另外，在射頻濺射過程中，需要嚴格控制靶材，陶瓷靶濺射過程中，容易斷裂。還有就是射頻的危害性較大。
以上為泛泛而談。如果不通，精確討論是免不了的。

⑶ 磁控濺射鍍膜儀有沒有輻射

磁控濺射儀當然有輻射，

1、可見光波段：陰極發射的電子電離介質氣體分子，分子/原子光譜。
這些光密度不大，不至於刺傷鈦合金狗眼. 屬於無害輻射。
2、不可見光波段：陰極發射的電子電離介質氣體分子，紅外/紫外，分子/原子光譜。 紫外輻射有害
3、X射線：氣體電離後的離子，在陰極加速場作用，轟擊陰極靶材，作用區也比較復雜，除了實現離子刻蝕濺射以外，還有類似掃描電鏡類似的散射出現，如二次電子，二次離子，及各種射線輻射。
在樣品端，電子會激發出更多X射線，盡管磁控裝置讓大部分電子行程增加，到達樣品其能量衰減近乎零，但會有一部分陰極電子或二次電子以最大能量轟擊樣品，從而會有X射線產生，如果連接類似掃描電鏡附件X射線能譜儀，你會發現驚喜！

至於這些X射線是否有害，一般來說，紫外粒子能量足以電離物質，磁控濺射儀最大工作電壓3000V，理論上最大輻射能量3Kev, 這些輻射是相當危險的。

對於掃描電鏡樣品制備馳奔小型濺射儀來說，大多1000V以下工作電壓， 玻璃罩子可以有效阻攔紫外能量以上的高能射線，而可見光輻射對人基本無害。

⑷ 磁控濺射儀為什麼用氣動閥

氣動閥是藉助壓縮抄空氣驅動的襲閥門，用於口徑大（動能大）的氣管如機械泵，羅茨泵，擴散泵等與電磁閥相連接來開啟關閉閥門，讓其運轉工作，而電磁閥用於氮氣，氬氣，乙炔等口徑小的氣路，電磁閥連接氣體控制模塊最終在終端真空顯示計來控制氣體的斷開和輸送

⑸ 磁控濺射鍍膜儀有哪些類型

磁控濺射鍍膜儀沒有什麼大的分類，主要就是看靶位的多少。。單靶、雙靶、三靶這樣。。靶位越多越貴

⑹ 磁控濺射使用在哪些領域里

是物理鍍膜法，和熱蒸鍍還有激光脈沖鍍膜隸屬於物理鍍膜方法。
磁控濺射，鍍的膜版比較緻密，而且權可重復性高，現在有條件的機構都用磁控濺射方法鍍膜，我們實驗室就有好幾台這種儀器。這設備主要就是真空系統，和電源系統，其他的就是外殼了

⑺ 磁控濺射鍍膜機的工作原理是什麼

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至於靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。
磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換後，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。
磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

具體問題可以私信我。

⑻ 誰知道磁控濺射儀的價格啊

幾十萬，幾百萬，幾千萬。

⑼ 磁控濺射鍍膜機，加熱電流范圍是多少，一般採用多大的電流來對基片加熱

不同的設備的加熱電流相差很大，沒有固定的指標。
磁控濺射鍍膜機的基片版加熱是在開始鍍權膜時給基片一定的溫度，鍍膜開始後，基片的溫度會不斷上升，需要降低加熱的電流，最後可能不需要啟動加熱了。
可以再基片附近安放一個熱偶，標定一下，在不同的時間，基片的相對溫度，同時調整加熱的電流，使基片基本保持在一個溫度范圍內，並做好記錄，這個記錄就是鍍膜的加熱工藝。