選擇區域電子衍射用什麼儀器做
㈠ 選取電子衍射的選擇區域大概有多大
最常見的是200nm直徑的區域
也有500nm直徑和1000nm直徑的，可以手動調擋
㈡ 怎麼用digital micrograph選取電子衍射作圖
既然你能下載這個軟體，如果你能找到相應的說明書就可以了。但有個要求，就是你最好是dm3格式的文件，如果是JPEG或者TIFF格式的，那麼還得轉換圖片格式，比較麻煩。第一種方法的大致做法如下：1. 用DM打開圖片，找到需要分析的范圍，點選ROI tools裡面的虛線方框，按住ALT鍵，在所分析區域周圍拉一個合適大小的正方形2. 選Process菜單下的FFT，得到倒易空間的衍射圖形，點選ROI tools里的虛線，拉一條對稱於中心斑點的直線，兩端准確落於對稱的兩個衍射點（最近中心斑的兩個點）3. 在Control對話框，讀取L的值，應該是納米分之一為單位，除以2，取倒數就是d值。4. 如果找不到Control對話框，找到Windows－－Floating windows，選show all，找到相應對話框即可。第二種方法：1. 同樣打開圖片，在standard tools裡面，找到一個圖標：是一個方框裡面有一條曲線，應該在圖標「A」的下面。2. 點選此圖標，在你要測量的區域對應的晶面垂直方向拉一條直線，這個時候就會跳出一個Profile of calibration的圖，對應有連續的峰3. 滑鼠點選一個峰的峰值，按住，拉動到相鄰峰值，中間會出來一個數值，就是對應兩個晶面之間的d值。個人推薦第一種。如果要變換圖片格式，就要麻煩一些，因為標尺需要重新劃，那麼還是用你喜歡的老辦法處理吧。
目前電子衍射的設備很多，但都要依附於超高真空設備中，
簡單介紹幾種如下：
1、如表面科學中的低能電子衍射（LEED)，主要應用於高取向晶體表面晶格的研究，比如畸變，吸附。
LEED結構目前也應用在透射電子顯微鏡（TEM)中，利用聚焦到很小光斑的電子束對納米結構中的局域有序做結構探測。
LEED只能夠作晶格類型分析，不能進行元素分析。
2、反射式高能電子衍射（RHEED)，主要應用於分子束外延等設備的原位監測，能夠很好的反映表面晶格的平整度，觀測材料生長中的衍射強度及位置的振盪。
3、電子顯微鏡附件，主要是場發射掃描電子顯微鏡（FESEM)，一般屬於附件，稱選區電子衍射（SAD），可以利用質能選擇器對反射電子作元素分析，能夠分析很小的區域元素組成，但結果較為粗糙。
電子衍射的原理可以參考XRD，觀測到的衍射花紋都是表面晶格的倒易格點，可能是一套，也可能是幾套。
一般，除了納米材料研究中在電鏡用電子衍射中常將衍射花紋作為晶格類型的佐證外，常規的LEED和RHEED並不作體材料三維晶格研究，而只用於表面晶格的判定，因為電子衍射一般只能反映晶格的二維表面結構，而不同晶體結構的晶體之間，它們的某一表面取向上它的對稱性及衍射斑點可能會完全一致。
電子衍射一般只用於測試二維晶體結構，無法簡單作三維體晶格判定，更無法單獨作元素判定。
所以你所說的ED測定晶格的說法是要注意的，ED很少或幾乎沒有單獨研究三維晶體結構。
電子衍射結構其實很簡單，簡單講就三個部件：
1、燈絲，用於產生電子
2、加速電壓，
（1) 電子加速電壓 （電壓大小要單獨可控）
（2) xy平面內的轉向電壓
3、熒光屏，注意導電接地。
此外電子衍射還需要有一個超高真空腔體作為設備的基礎；
還要有一個位置可調的多維樣品架（樣品台）系統；
如果需要做衍射斑點位置亮度分析，還要有CCD圖像採集系統。
㈣ 求教透射電鏡選區電子衍射圖，像多晶但環不連續怎麼回事
電子衍射的原理和XRD是一樣的，都是有布拉格方程而來，你學一下XRD的結構消光專就可以了；
二次屬衍射就是：入射電子與原子和作用後產生衍射，在衍射路徑中又與另一個原子作用，產衍射（這不是定義，我的理解），就是電子在材料中衍射了兩次。
你這是兩種晶體結構的材料，按理來說應該產生兩套衍射花樣，就是在BN的花樣中還會出現另一套花樣。
㈤ 選區電子衍射的操作
選區電子衍射的操作:
1) 在成像的操作方式下，使物鏡精確聚焦，獲得清晰的形貌像。
2) 插入並選用尺寸合適的選區光欄圍住被選擇的視場。
3) 減小中間鏡電流，使其物平面與物鏡背焦面重合，轉入衍射操作方式。對於近代的電鏡，此步操作可按「衍射」按鈕自動完成。
4) 移出物鏡光欄，在熒光屏上顯示電子衍射花樣可供觀察。
5) 需要拍照記錄時，可適當減小第二聚光鏡電流，獲得更趨近平行的電子束，使衍射斑點尺寸變小。
選區電子衍射的准確性：
1）物鏡球差的影響。
2）物鏡聚焦的影響。
㈥ 選區電子衍射上怎麼標注各個晶面數據
這涉及到非常高深的晶體點陣學知識，我原來請教過一個高人，可惜學了很長時間版都沒有學會
你可以看看孫權世剛和夏幼男的文章，裡面有些闡述的
衍射斑點是有倒格子空間，所以量衍射中心到某點的距離後，還需要轉到正空間得到相應的數值，把這個數值與PDF卡片對照可以確定相當的晶面。你所給出的三幅圖是如下得到的：1.低倍透射得a; 2. SAED得b; 3. 在a中白框處放大得到高分辨的c圖。c的插圖是對高分辨相進行快速傅立葉變換得到。 這里關鍵是標定b,如上所說這很容易。標定c,直接量出間距，並對著標尺換算就可以。b,c互相對比吻合確定下晶面。
很顯然這里的晶面是等同的，幾個晶向當然也是等同的。
只要會基本的TEM標定分析，解析這個比較容易。
㈦ 選區電子衍射的介紹
選區電子衍射(SAED,selected area electron diffraction)由選區形貌觀察與電子衍射結構分析的微區對應性，實現晶體樣品的形貌特徵與晶體學性質的原位分析。
㈧ 電子衍射的方法
1、如表面科學中的低能電子衍射（LEED），主要應用於高取向晶體表面晶格的研究，比如畸變，吸附。
LEED結構也應用在透射電子顯微鏡（TEM）中，利用聚焦到很小光斑的電子束對納米結構中的局域有序做結構探測。
LEED只能夠作晶格類型分析，不能進行元素分析。
2、反射式高能電子衍射（RHEED），主要應用於分子束外延等設備的原位監測，能夠很好的反映表面晶格的平整度，觀測材料生長中的衍射強度及位置的振盪。
3、電子顯微鏡附件，主要是場發射掃描電子顯微鏡（FESEM），一般屬於附件，稱選區電子衍射（SAD），可以利用質能選擇器對反射電子作元素分析，能夠分析很小的區域元素組成，但結果較為粗糙。
電子衍射的原理可以參考XRD，觀測到的衍射花紋都是表面晶格的倒易格點，可能是一套，也可能是幾套。
一般，除了納米材料研究中在電鏡用電子衍射中常將衍射花紋作為晶格類型的佐證外，常規的LEED和RHEED並不作體材料三維晶格研究，而只用於表面晶格的判定，因為電子衍射一般只能反映晶格的二維表面結構，而不同晶體結構的晶體之間，它們的某一表面取向上它的對稱性及衍射斑點可能會完全一致。
電子衍射一般只用於測試二維晶體結構，無法簡單作三維體晶格判定，更無法單獨作元素判定。
所以你所說的ED測定晶格的說法是要注意的，ED很少或幾乎沒有單獨研究三維晶體結構。
電子衍射結構其實很簡單，簡單講就三個部件：
1、燈絲，用於產生電子
2、加速電壓，
⑴ 電子加速電壓 （電壓大小要單獨可控）
⑵ xy平面內的轉向電壓
3、熒光屏，注意導電接地。
此外電子衍射還需要有一個超高真空腔體作為設備的基礎；
還要有一個位置可調的多維樣品架（樣品台）系統；
如果需要做衍射斑點位置亮度分析，還要有CCD圖像採集系統。
㈨ 選區電子衍射在文獻裡面可以用彩色的嗎
既然你能這個軟體，如果你能找到相應的說明書就可以了。但有個要求，就是你最好是dm3格式的文件，如果是JPEG或者TIFF格式的，那麼還得轉換圖片格式，比較麻煩。第一種方法的大致做法如下：1. 用DM打開圖片，找到需要分析的范圍，點選ROI tools裡面的虛線方框，按住ALT鍵，在所分析區域周圍拉一個合適大小的正方形2. 選Process菜單下的FFT，得到倒易空間的衍射圖形，點選ROI tools里的虛線，拉一條對稱於中心斑點的直線，兩端准確落於對稱的兩個衍射點（最近中心斑的兩個點）3. 在Control對話框，讀取L的值，應該是納米分之一為單位，除以2，取倒數就是d值。4. 如果找不到Control對話框，找到Windows－－Floating windows，選show all，找到相應對話框即可。第二種方法：1. 同樣打開圖片，在standard tools裡面，找到一個圖標：是一個方框裡面有一條曲線，應該在圖標「A」的下面。2. 點選此圖標，在你要測量的區域對應的晶面垂直方向拉一條直線，這個時候就會跳出一個Profile of calibration的圖，對應有連續的峰3. 滑鼠點選一個峰的峰值，按住，拉動到相鄰峰值，中間會出來一個數值，就是對應兩個晶面之間的d值。個人第一種。如果要變換圖片格式，就要麻煩一些，因為標尺需要重新劃，那麼還是用你喜歡的老辦法處理吧。
㈩ 為什麼在選區電子衍射時很容易獲得電子衍射
為什麼再選去電子輻射，是很容易獲得電子紅色這個的話肯定是啊，因為他電子的話它本身就是膚色比較大一點的。