放電機器igbt1500c效果怎麼樣

Ⅰ IGBT如何放電

經過電阻和電容放電。

Ⅱ IGBT驅動電路中GE間經常接個十幾K的電阻是什麼作用

剛才有位仁兄說接個電阻，就是為了把這個電荷放掉。不能否認有這個作用，但是十幾K的電阻版相權對於最大幾十歐的IGBT門極關斷電阻來說，放電效果是不明顯的;所以這個十幾K的電阻的設置明顯不是針對這個情況設計的，在考慮對IGBT保護設計的時候，有一種情況IGBT比較容易損壞，就是門極電平懸空的時候，IGBT集電極有高電壓接通，因為IGBT米勒電容的作用，會導致IGBT誤導通，有燒壞IGBT的風險，如果GE間接個十幾K的電阻,可以給米勒電容提供釋放通道，不會引起IGBT誤導通;在IGBT驅動電路中GE間經常接個十幾K的電阻時為了驅動電路沒用通電或者不起作用時，給IGBT的C極通高壓不會造成IGBT誤導通，阻值不能大小，否則會延長開通時間，增加IGBT的開關損耗，阻值太大了降低應有的作用。

Ⅲ IGBT門極驅動，電阻選擇

IGBT門極峰值電流一般通過公式△V/(gint+gext)計算的。
一般驅動電路設計會對門極電阻進行分開設置，如設置開通門極電阻和關斷門極電阻
如果要求IGBT門極充電電流峰值低於門極放電電流峰值一般是從IGBT的開關損耗考慮的；IGBT的關斷的時候拖尾電流比較長，會引起比較大的關斷損耗，增大IGBT的門極放電電流峰值會加快IGBT的關斷，減少關斷損耗，但這有一個不好的地方就是過快的關斷速度會引起關斷瞬間IGBT的C、E兩端尖峰過大而引起的過壓擊穿。
所以並不是所有的IGBT驅動電路都是要求IGBT門極充電電流峰值低於門極放電電流峰值，具體要看你的拓撲、IGBT型號選擇、散熱器散熱效果，使用環境如高壓或者低壓。有些公司設計的驅動電路是IGBT門極充電電流峰值高於門極放電電流峰值主要是折中考慮，因為在高壓使用環境中，過快的關斷時間引起的過壓尖峰是很大的，通過減少IGBT的門極放電電流，增加放電時間，可以減少IGBT的關斷應力，但增加IGBT關斷損耗，可以通過改善散熱器的功能實現。
至於門極電阻怎樣計算，一般是參考IGBT說明書給定的參考值，選擇參考值附近的電阻，然後通過△V/(gint+gext)計算是否在合理范圍內，如過大，但驅動板的驅動電源功率不夠，會引起門極驅動信號振盪；充電過快會引起IGBT承受短路過流能力下降；放電過快會引起關斷電壓尖峰；綜合考慮選擇合適的電阻

Ⅳ 請問各位老大：IGBT40N150參數怎麼樣什麼管可代用急！！！

修電磁爐是吧，給你些資料。 電磁爐的分類及修理事項
在修理中常見的電磁爐大致分為兩類：
由LM339（四電壓比較器）輸出脈沖信號。
1：觸發部分由正負兩組電源，管子用PNP\NPN組成，類似這種電路，後級大多是用大功率管多個復合而成，
組成高壓開關部分，在代換中，前一個用帶阻尼的行管替代即可。後幾個則很難找到特性一致的管子，解決
的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：
BU2525/BU2527/BU2532/D3998一類，用兩個就可以。
2：功控管用IGBT絕緣柵開關器件；
這些機器特徵是不用雙電源觸發，只有+5V和+12V,LM339通過觸發集成塊TA8316帶動IGBT
這種情況下只能用此一類的管子代替，損壞程度大致為，只有管子壞，換上即可。其次是整流橋同時損壞，
（一般是燒半壁），在其次是觸發集成塊TA8316壞，連帶LM339N一起損壞的很少見。
對於高壓模塊，由於這方面的參數手冊很少，希望大家搜集轉貼，以便代換時參考。
不能貿然更換,最好有示波器先測其G極波形及幅值(沒有的話用萬用表測此點直流電壓應在1-2.5伏之間變
化).接上線盤前要確定其它幾路小電源供電正常.

2.1.2 IGBT
絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等
電壓激勵場控型器件優點於一體的高壓、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工藝製作的IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的
復合結構。
IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發射極E(也稱源
極) 。
從IGBT的下述特點中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是於高壓大電流工作時, 導通電阻
大, 器件發熱嚴重, 輸出效率下降。
IGBT的特點:
1.電流密度大, 是MOSFET的數十倍。
2.輸入阻抗高, 柵驅動功率極小, 驅動電路簡單。
3.低導通電阻。在給定晶元尺寸和BVceo下, 其導通電阻Rce(on) 不大於MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高, 安全工作區大, 在瞬態功率較高時不會受損壞。
5.開關速度快, 關斷時間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近於功率
MOSFET, 開關頻率直達100KHz, 開關損耗僅為GTR的30%。
IGBT將場控型器件的優點與GTR的大電流低導通電阻特性集於一體, 是極佳的高速高壓半導體功率器件。
目前458系列因應不同機種采了不同規格的IGBT,它們的參數如下:
(1) SGW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部不帶阻尼二極體,
所以應用時須配套6A/1200V以上的快速恢復二極體(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極體
(D11)後可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部帶阻尼二極體,
該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(3) GT40Q321-----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時42A,100℃時23A, 內部帶阻尼二極體,
該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(4) GT40T101-----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A,內部不帶阻尼二極體,
所以應用時須配套15A/1500V以上的快速恢復二極體(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極體
(D11)後可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復二極體(D11)後可代用
GT40T301。
(5) GT40T301-----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A, 內部帶阻尼二極體,
該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時請將原配套該
IGBT的D11快速恢復二極體拆除不裝。
(6) GT60M303 ----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時120A,100℃時60A, 內部帶阻尼二極體。
順便說明:我用G25N120代換加阻尼管,不是說此管內部不帶阻尼管,(實際上它內部已附帶阻尼管,)只是我在
維修時先加上試機正常後再去掉,為的是防止機子還有其它問題而引起燒了它從而避免過大的損失,裝上此管
再並是一支阻尼後要是還有其它問題一般只會燒外加阻尼而不會燒功率管.

電磁爐維修經驗（一）
一、PD16F/16Y/13J 老版（大單機68H1908）
1、現象：上電長鳴，指示燈全亮
方法：更換R53：1/6W-10K為1/6W-4.7K或1/4W-4.7K
二、PD16F/16Y/16J-2002（小單片機 1202）
1、現象：正常電壓開機長鳴
方法：更換R15：1W-330K±1%
2、不檢鍋
方法：撥掉排線（功率板到控制板），測量R16：1W-330K±1%；R17、R18：1W-240K±1%是否正常，
更換不正常電阻。
如無法測，則直接更換R16：1W-330K±1%，不正常再更換R17、R18：1W-240K±1%。
3、上電無反應：
測量功率板橋堆、保險管是否損壞，如橋堆損壞而IGBT未短路則更換橋堆保險管。
三、PSD18C/D/E
1、出現E07、E08
方法：更換R310：1W-330K±1%
2、不檢鍋
方法：撥掉排線測量R300：1W-330K±1%；R305、R304：1W-240K±1%，更換不正常電阻，如無法測量
則直接更換R300：1W-330K±1%；還不正常，則更換R304、R305：1W-240K±1%
3、上電無反應
方法：同第二大點中第3小點

電磁爐維修經驗(二)
1.電磁爐無論有什麼故障,在更換元件後,一定不要急於接上線盤試機,否則會引起燒壞IGBT和保險管,甚至
整流橋。應該在不接線盤的情況下，通電測試各點電壓,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驅動電路輸
出的波型(正常是方波)，也可以用數字萬用表20V檔測試(正常電壓不斷波動)。因為一般電磁爐都有鍋具檢
測，大概30秒左右,要測驅動輸出要在開機的30秒內，看不清楚可關機再開，檢測正常後再接上線盤即可。
2.電磁爐壞之後，檢測電路不要一開始就懷疑晶元有問題(95%以上晶元不會的故障),就算晶元有問題都要
到生產該電磁爐的廠家才有,市場買不到,市場上的型號相同都不能代換。
3.通電後報警關機，這類問題比較多。有的廠家設有故障代碼,參照使用說明可逐一解決。如果沒故障代碼
顯示,應檢查鍋底溫度、鍋具、IGBT溫度檢測電路。
電磁爐常用整流橋型號及參數
RBV-2006/20A/600V
RBV2506/25A/600V
K15T120此管是帶阻的，可用H20T120代，或用其它帶阻的IGBT代均可。
比如40N150，25G120等都可使用G40N150D就可以看看這些如何：
SGW25N120D
K25T120
G25N120D
FGA25N120
MGY25N120D
IRG30B120
G18N120BNAF
SIGC25T120C
SG25N120

參數如下:
(1) SGW25N120----西門子,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部不帶阻尼二極體,
(2) SKW25N120----西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內部帶阻尼二極體,
(3) GT40Q321----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時42A,100℃時23A, 內部帶阻尼二極體,
(4) GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A,內部不帶阻尼二極體,
(5) GT40T301----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A, 內部帶阻尼二極體,

公布一些電磁爐用功率管的型號，代換，參數
GT40Q321， FGL40N150D， FGL60N170D， FGA25N120， SK25N120， G40N150D， FGA25N135，
1MBH25D--120，GP20B120UD--E， IXGH20N120BDI，
以上功率管內部都帶阻尼管，耐壓都在1200V以上電流在20A以上只要電流相差不多都可以互相代換。
SGW25N120，K15T120。。。。。。。。。。。。。
以上的管子內部不帶阻尼，如果要代換一上功率管時可以在電路板上安裝2個以上的阻尼二極體耐壓1200V
以上，電流在8A以上

我們換IGBT都用20T120的通帶（小的TGBT）大的用GT40T101就行了

阻尼管二極體可選用：BY459

大量維修實踐表明，電磁爐（灶）內的部分元器件因工作溫度較高，工作電流較大，電壓較高
等，其故障或損壞概率也較高。其中的場效應功率管損壞率最高。但由於商業競爭激烈，一般都不
隨機附帶圖紙，加之電磁爐所採用的場效應功率管一般均為較新產品，這便給維修帶來不便和困
難。下面筆者根據匯集來的相關資料，提供幾種常用電磁爐場效應功率管及代換資料供參考。
電磁爐一般均採用N型溝道功率場效應管，其相關參數為BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥
100W，ICM≥7A，HFE≥40。
內部帶阻尼二極體的型號有
GT40N150D、GT40T301、SEC·G40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA等。

內部不帶阻尼二極體的型號有
BT40T101、SGL40N150/150D等。
在維修代換時，若採用不帶阻尼二極體的功率場效應管，應在D、S極間加接一隻阻尼二極體，
該二極體必須是快恢復型阻尼二極體，其耐壓應≥1500V。加接時正極接S極，負極接D極即可。
參考型號如S5J53、BY4591500等。

在負載電磁線圈和功率管之間串一隻100W的燈泡再通電試機,可以防止燒管

Ⅳ IGBT的C、E極接反了是怎麼樣的效果

IGBT不能承受反壓，所以實際應用CE並聯一個反向二極體就可以避免一些故障損壞