一个硅晶片能切割多少芯片

1. 硅晶片是怎么做成cpu的

这是一个很复杂的问题~

2. 太阳能硅晶片长宽大小可任意切割吗

太阳能硅晶片长宽大小是不可以任意切割。成品是多大就是多大啦。采购后不能自行改变。

3. 为什么现在的晶片(wafer)越做越大

科学在发展，技术在进步啊！大了成本低啊！一片顶过去五片，呵呵
给你粘个我收藏的资料你参考下：

硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。
当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。

越大，越难做，但做成了挣钱多！

4. 太阳能硅晶片以及硅晶片切割机有辐射么

太阳能硅晶片以及硅晶片切割机有辐射。
1、任何温度高于绝对零度的物体都会有辐射，所以太阳能硅晶片以及硅晶片切割机有辐射。
2、辐射指的是由场源出的电磁能量中一部分脱离场源向远处传播，而后再返回场源的现象，能量以电磁波或粒子的形式向外扩散。自然界中的一切物体，只要温度在绝对温度零度以上都以电磁波和粒子的形式时刻不停地向外传送热量，这种传送能量的方式被称为辐射。辐射本身是中性词，但某些物质的辐射可能会带来危害。
3、太阳能硅晶片以及硅晶片切割机的辐射属于非电离辐射，对人体和环境无害。非电离辐射是指能量比较低，并不能使物质原子或分子产生电离的辐射。非电离辐射包括低能量的电磁辐射。有紫外线、光线、红内线、微波及无线电波等。它们的能量不高，只会令物质内的粒子震动，温度上升。
4、太阳能硅晶片以及硅晶片切割机本身对人和环境是无害的，但太阳能硅晶片的生产加工过程中会产生有毒气体和液体，硅晶片切割机切割时产生的粉尘也会对人和环境造成伤害。
4、太阳能硅晶片以及硅晶片切割机对人和环境的伤害主要在生产过程中，只要做好生产过程中的防护以及有害物质的回收工作，那么就不会造成伤害，与太阳能硅晶片以及硅晶片切割机的辐射完全没有关系。

5. 硅晶片切割丝是什么材料

树脂金刚线

6. g3220和4790是同一个晶圆片切割下来的吗

是的，基本上来差不多。引用一段话源：
每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上（缓存占CPU核心面积的一半以上），制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron，可能是Sempron，或者是其它的了。

7. 硅晶片组成成分

没加工过的硅片吗？那是纯硅

8. 生产硅晶片切割钢线需要哪些设备

关于手机触摸屏面板的生产工艺比较复杂，一般都是由专业的生产厂商来生产再卖给手机生产厂商。制造流程大致分为以下几个步奏：1. 切割（比实际尺寸大单边1MM）→2. 磨边（做到实际一样大小）→3. 抛光→4. 加硬→5. 超声清洗→6. 包装→7. 出货大致就是以上这几个步奏，如果要对手机触摸屏面板进行强化的话有两种做法，在抛光前和抛光后都可以，强化方法都是一样的。至于是使用机械还是手工操作的问题。现在有分全自动、半自动和纯手工三种作业方式。因为考虑到人力成本及生产效率，现在纯手工的制造方式已经基本淘汰了。大多都是用机械切割的，效率远远大于手工切割。手机触摸屏面板（玻璃）的强化——化学强化：现在一般用化学强化的方法来强化玻璃。具体做法是将处理好的玻璃浸泡在熔融状态的硝酸钾里。温度：410度。浸泡时间：至少4小时。因为考虑到成本问题，所以一般还会加入催化剂。催化剂直接影响强化的时间。具体使用什么样的催化剂要按工艺的方法去试，每家都不同。理论是此催化剂中含有比钾离子更加活泼的离子即可。深圳几家大型（手机）玻璃切割厂商： 1.蓝思旺科技(深圳)有限公司 2.深圳市南玻安全玻璃有限公司 3.伯恩光学(深圳)有限公司 4.深圳东方晶片制造有限公司

9. 芯片内的硅片到底是怎样做的

如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？

除去硅之外，制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS（北木暴毕综合症）的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。

除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。

CPU制造的准备阶段

在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。
在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接 决定了成品CPU的质量。

新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺（互补型金属氧化物半导体）。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。

在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。

准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。

光刻蚀

这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕， 由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。

当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。

掺杂

在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料（因此称作金属氧化物半导体），多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，每个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。
重复这一过程
从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异
接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。

而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷（这种缺陷足以导致绝大多数的CPU瘫痪），那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。

在CPU的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。

我们希望这篇文章能够为一些对于CPU制作过程感兴趣的人解答一些疑问。毕竟作者水平有限，不可能以专业的水平把制作过程完全展示给您，如果您有兴趣继续钻研，建议您去阅读一些有关集成电路制造的高级教材

10. 太阳能硅晶片切割线的生产工艺 从材料到成品各要经过几个工序 需要哪些机器生产加工越详细越好

硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、
倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行
业的迅速发展对硅 片的加工提出了更高的要求(图1.2)：一方面为了降低制
造成本，硅片趋向大直径化。另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小
的表面粗糙度。所有这些要 求极大的提高了硅片的加工难度，由于硅材料
具有脆、硬等特点，直径增大造成加工中的翘曲变形，加工精度不易保证。
厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量 大、效率下降等。

硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量
直接关系到整个硅片生产的全局。对于切片工艺技术的原则要求是：①切割
精度高、表面平行度 高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉
丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。
④提高切割速度，实现自动化切 割。
目前，硅片切片较多采用内圆切割和自由磨粒的多丝切割(固定磨粒
线锯实质上是一种用线性刀具替代环型刀具的内圆切割)。内圆切割是传统
的加工方法（图 1.3a），材料的利用率仅为40％～50％左右；同时，由于
结构限制，内圆切割无法加工200mm以上的大中直径硅片。
多丝切割技术是近年来崛起的一项新型硅片切割技术，它通过金属丝
带动碳化硅研磨料进行研磨加工来切割硅片（图1.3b）。和传统的内圆切割
相比，多丝切割 具有切割效率高、材料损耗小、成本降低(日进NWS6X2型6”
多丝切割加工07年较内圆切割每片省15元)、硅片表面质量高、可切割大尺寸材料、方便后续加工等特点(见表1.1)。