哪里有硅片切割加工
❶ 硅片切割一般有什么难点啊
现在光伏行业兴兴向荣,发展迅速。据不完全统计,现在全国已有两百多家硅片生产企业。2014年中国多晶硅生产规模明显增长,预计全年产量将超过13万吨,和2013年的8万吨相比,同比增加62.5%,其中前三季度多晶硅产量已经达到9.8万吨。硅片产能迅速增长势必带来硅片切割液的需求量增加。但现在硅片切割液呈现的问题依旧比较突出,主要表现在以下五个方面:
1、切割后的表面TTV大,有线痕:由于硅片在切割过程中会发生脆性崩裂或划痕,影响了硅片表面的粗糙度和翘曲度,使得所加工的硅片总厚度存在误差。
2、不耐酸耐腐:由于硅片切割设备在酸性环境下会生锈腐蚀,质量差的切割液会加重腐蚀程度,所以如何防腐防锈是判断硅片切割液优劣的关键所在。
3、使用寿命短:现在很多硅片切割液使用的添加剂质量差,不利于切割后清洗,从而缩短了金刚砂线的使用寿命。
4、产生氢气:切割过程中切屑硅粉由于粒度太细与水反应会释放出氢气,长时间的生产积累会产生安全隐患。
5、生产成本高:目前很多切割液由于技术和使用方法的局限,不能回收利用,无形中又增加了企业的运营成本。
由于这五大难题的客观存在,使得很多硅片生产厂家陷入了困境。不及时解决这个问题,不仅严重影响了生产,更会制约企业的长远发展。
基于以上几大难题,常州君合科技研制出了一种新型的硅片切割液——金刚砂线切割液。它是一种新型产品,主要用于单晶硅、多晶硅等非金属脆硬材料的金刚砂线切割,具有优异的润滑、冷却、防腐、防锈、氢气抑制功能,切割后的硅片表面TTV小,无线痕,并且能够延长金刚砂线的使用寿命。而且无需稀释,可以直接使用在硅片切割的线切割机床上。由于其优越的润滑防锈性能,完美的解决了硅片在切割过程中产生的各种问题,减少了生产成本,从而减轻了企业的负担。
❷ 【请教】如何切割硅片
洛阳学子(站内联系TA)线切割就可以的wachonglong(站内联系TA)使用金刚石树脂超薄回切割片solgeltech(站内联系TA)估计不很好切 不过可答以问问卖硅片的 或者直接买一寸(2.5cm直径)硅片
❸ 做硅片切片的切割设备有哪些主流设备,哪个比较好
瑞士 MEYER BURGER / 日本NTC/HCT等 都可以啊
❹ 目前最主流的硅片切割方式是哪一种
会有影响,光伏光会产生紫外线,紫外线会伤害皮肤,从而导致各种皮肤病,而各种皮肤病,就会对身体造成影响,因为我答上了,所以我是神人
❺ 太阳能硅片是由晶体切割出来的,30kg的晶体能切割出多少片硅片30MW产能是多少片硅片的产能之和
6寸硅片重0.0063KG 6.5寸硅片重0.0065KG 8寸硅片重0.01KG
但不是说所有的硅棒都能成为硅片,因为有一部分在切专割过程中被损耗掉了。一般属损耗在40%到50%。
还有就是出片数也和主辊的槽距有关,一般谁来你按40%保守估计下的话6.5寸的棒子,30kgx40%=12kg 12kg/0.0065=1846片
希望对你有用。
❻ 硅片切割一般有什么难点
1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片回上产生相关线痕答。
2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。
表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。
3、密布线痕(密集型线痕):由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。
4、错位线痕:由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水,造成液压装置与托板不能完全夹紧,以及托板螺丝松动,而产生的线痕。
在整个切割过程中,对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。
线痕和TTV: 线痕和TTV是在硅片加工当中遇到的比较头疼的事,时不时就会出现一刀,防不胜防。TTV是在入刀的时候出现,而线痕是在收线弓的时候容易出现。
❼ 求陕西做硅片切割的企业最好详细一些,谢谢
西安永昌路2号德盛新能源有限公司;029 33371299
西安幸福北路21号国营黄河机器制造厂;029-82521766
宝鸡版清姜路75号长权岭电子科技有限责任公司;0917-3608033
宝鸡清姜路72号陕西烽火通信集团有限公司;0917-3624411
宝鸡高新六路西18号恒鑫精密纺织机械公司;0917-3388722
西安高新六路28号烽火电子科技有限责任公司;029-88452700
❽ 怎么切割硅片
laser
❾ 目前硅片厂用哪些公司的切割线
硅片切割其实用的是做轮胎的子午线,贝卡是全球最大的轮胎厂商,应该做的挺好的吧
❿ 硅片为什么要切去一边,切出来的边叫啥
确定晶向,切断面粘接碳棒或者玻璃,安装于设备固定。
简单来说就是确定晶向,以利于将来切割,设计图形时要考虑这一点,再要问深入一点,就要看看书了。
三极管一般用111面,MOS一般110面
这样做的原因是跟掺杂、腐蚀等后期制作有关,而且,不同晶向的外层电子的活跃性不一样,势能也不一样。
其实早期的硅片并不切边,但随着微电子业发展开始切边,原因如下:) W2 i: J; `& n$ W% L* M1 s
1, 微电子器件在晶圆上可以做n多个,需切割下来,而单晶硅生长是有晶向要求的,切割沿某一方向好切不乱裂,就是专业上称的解理面.切边就告诉您解理方向.
2, 硅片分N型和P型,有规范的切边还告知您它是n型电特性还是p型电特性,, u$ J2 z/ h" \9 ~- O
3, 现在微电子生产己经自动化,例如光刻的曝光若没有切边定位,那么掩膜版与晶片图型会相差180度或某种不定位置,生产效率会很低...,
4, 硅片的用途很多,除了n/p还要有晶向,例如做mems要求腐蚀各向异性会用到<110>等晶向,而mos产品为减小表面态影响要求用<100>晶向...
总之,晶圆的主对准边和副对准边的标准组合会告诉用片人它是什么导电类型和晶向,是个身份标识
希望对你有帮助,望采纳