晶圆如何切割品质更好

⑴ 哪位朋友知道用什么东西切割晶圆、用什么东西研磨晶圆，在哪里有这样的产品。谢谢！

这个属于五金用具吧！在五金城里一般可以找到。五金城一般在火车站附近。

⑵ cpu从晶圆上是用激光切下来的还是用齿轮切割下来的

超高速微锯片。

⑶ 晶圆是如何切割成片的

用晶圆切割机切割，用水来切割的

⑷ TANISS晶圆切割刀生产厂家

TANISS 多年来一直致力于半导体耗材的研发与应用。产品有电镀金钢石晶圆切割刀、电镀专金钢石线锯、陶瓷金属真属空吸盘、V槽角度金钢石刀片，树脂及金属切割刀等。产品品质不断提高，为客户提供高性价比的产品。产品已销往国内外几百家企业，客户遍布全国。并得到了客户的青睐与信任。同时为客户提供电镀金钢石晶圆切割刀刀刃再生长、V槽角度复修、陶瓷金属真空吸盘换面及精度维修、高精度CVD装置的静电吸盘处理及精度维修。
深圳TANISS划片刀通过原厂直销方式，为客户节省成本。专业工程师负责跟进。欢迎新老客户咨询指导

⑸ 怎样让芯片从晶圆上分离开来

你是说封装的时候是如何将晶圆切割开的吧？封装前芯片会减薄到一般200um左右，然后会把圆片贴在一张蓝膜上，再进行划片；再经过装片工序，装片时用顶针将芯片与蓝膜分离并将芯片固定到封装框架上。

⑹ 同一期发布的芯片，中高低三档芯片，其实都是同一片晶圆切出来的吗

都是同一片晶圆切出来的

⑺ 晶圆的制造工艺

热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)
此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解（约650oC）淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3 气体，就形成磷硅玻璃（ PSG： phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。 离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂， CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化， 然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速，注入基片中。
退火处理
去除光刻胶放高温炉中进行退火处理 以消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。
去除氮化硅层
用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱，并使原先的SiO2 膜厚度增加，达到阻止下一步中n 型杂质注入P 型阱中。
去除SIO2层
退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层。
干法氧化法
干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅。此时P 阱的表面因SiO2 层的生长与刻蚀已低于N 阱的表面水平面。这里的SiO2 层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。
光刻技术和离子刻蚀技术
利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
湿法氧化
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区。
生成SIO2薄膜
热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
氧化
LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
形成源漏极
表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
沉积
利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
沉积掺杂硼磷的氧化层
含有硼磷杂质的SiO2 层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。
深处理
溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构，并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加热去除SOG 中的溶剂。然后再沉积一层介电质，为沉积第二层金属作准备。
（1） 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。有绝缘膜、半导体薄膜、金属薄膜等各种各样的薄膜。薄膜的沉积法主要有利用化学反应的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理现象的PVD(physical vapor deposition) 法两大类。CVD 法有外延生长法、HCVD ， PECVD 等。PVD 有溅射法和真空蒸发法。一般而言， PVD 温度低，没有毒气问题； CVD 温度高，需达到1000 oC 以上将气体解离，来产生化学作用。PVD 沉积到材料表面的附着力较CVD 差一些， PVD 适用于在光电产业，而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD 来沉积，而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD 技术。以PVD 被覆硬质薄膜具有高强度，耐腐蚀等特点。
（2） 真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（ 10 -4 Pa 以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其他分子碰撞可直接到达基片。到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空（ <10 – 8 torr ），并且控制电流，使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长（ MBE ： Molecular Beam Epitaxy ）。
（3） 溅镀（ Sputtering Deposition ） 所谓溅射是用高速粒子（如氩离子等）撞击固体表面，将固体表面的原子撞击出来，利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速，撞击原料靶材，将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点：台阶部分的被覆性好，可形成大面积的均质薄膜，形成的薄膜，可获得和化合物靶材同一成分的薄膜，可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜，形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。因而，电极和布线用的铝合金（ Al-Si, Al-Si-Cu ）等都是利用溅射法形成的。最常用的溅射法在平行平板电极间接上高频（ 13.56MHz ）电源，使氩气（压力为1Pa ）离子化，在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧电极上的基片上。为提高成膜速度， 通常利用磁场来增加离子的密度， 这种装置称为磁控溅射装置（ magnetron sputter apparatus ），以高电压将通入惰性氩体游离，再藉由阴极电场加速吸引带正电的离子，撞击在阴极处的靶材，将欲镀物打出后沉积在基板上。一般均加磁场方式增加电子的游离路径，可增加气体的解离率，若靶材为金属，则使用DC 电场即可，若为非金属则因靶材表面累积正电荷，导致往后的正离子与之相斥而无法继续吸引正离子，所以改为RF 电场（因场的振荡频率变化太快，使正离子跟不上变化，而让RF-in 的地方呈现阴极效应）即可解决问题。
光刻技术定出 VIA 孔洞
沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。
光刻和离子刻蚀
定出 PAD 位置。
最后进行退火处理
以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。

⑻ 我们厂是做半导体的，可是最近切割晶圆时，刀片老是起泡 ，发黑。为什么

起泡、发黑是因为刀片烧掉了，我是生产内圆切片机和多线切割机的，你说的情况可能是冷却系统出问题了

⑼ 如何避免火焰切割出现的缺陷以及提高切割质量

一、厚板切割中应注意的要点
在厚钢板切割中，温度是从上表面向下递减的。切割开始时，氧气压力逐渐增加，最后在钢板厚度方向达到一致。这就造成在切割起始位置钢板厚度方向燃烧不一致，工件切割起始端产生缺陷，如图1所示。
为避免缺陷的产生可采用如下方法：
① 采用圆弧进刀增加引入线长度，避免直接切入点。此方法使用效果较好，生产中得到较为广泛的使用，其缺点是浪费材料。
②采用引燃棒。其方法就是在切入点处紧贴钢板厚度增加一块钢板，贴紧处不应有缝隙，割刀应从引燃棒上切入，引燃棒将引导割具火焰至钢板底部，使钢板上下燃烧速度达到一致，得到最佳切割段面。引燃棒可采用切割下来的边角料代替。此种方法减少了工件与板边的距离，减少了边角余料的产生，有效地提高了板材利用率。引燃棒在切割特厚钢板中较为实用。
二、锻件切割中应注意的要点
由于锻件表层氧化皮较厚，再加上氧化皮燃点高于熔点，所以在切割中容易出现切割中断现象，造成切割质量下降和工效降低。为此在锻件切割时，应首先去除切割区域中上下表面的氧化皮后再切割，以提高切割速度和切割质量。
三、轧制方坯冷床齿板切割中防变形的要点
齿板排料如图2所示。齿板总长8m、宽0.4m、厚40mm，属于长宽比较大的细长条形切割成品工件。在切割中如何控制工件变形是非常重要的，如按常规安排切割路线会造成工件变形和超差，即使整形也很难达到尺寸要求，最终将会使产品报废。因此合理地安排气割路线是非常关键的：将切入点设在A处，离头部30～40mm左右，产生一钩部，阻止变形。件1从A部切入，采用逆时针行走切割，使工件与母材逐渐脱离，件2和件3的切割方式同件1。下一步应切割件6，将切入点设在B处，采用逆时针方式切割，此时由于母材较宽，件6变形较小。最后再切割件5和件4，件5的变形由件6和未切割的件4制约住，件4的变形由两边已切割好的工件制约住，这样就能保证切割出的工件合格。
四、提高切割面质量的经验
提高氧气和乙炔的品质是获得高质量切割面的根本保证。当采用含量为99%的瓶装氧气及乙炔发生器中产生的乙炔进行数控火焰切割时，切割面质量较低，表现为表面粗糙，常产生切口上缘熔化和严重挂渣以及不连续切割等现象。对于6mm-30mm厚的钢板，其切割速度只能达到标准的60%-90%；而对30m
m以上厚的钢板，其切割速度仅为标准的20%-60%。
当采用纯度可达99.
5%以上的液态氧切割时，由于压力稳定，切割面质量明显地提高了，其挂渣极少，切割速度大大提高。当采用瓶装乙炔集中供气后，因其纯度高、压力稳定，不再出现不连续切割现象。在切割厚板时采用了增大氧气压力的办法(增大压力为0.
1MP-0. 3 M P
a)，保证了厚板的顺利切割和切割面的垂直度，在一定程度上提高了切割面质量。另外，钢板表面的锈蚀及割嘴的通气流畅程度对切割的连续进行也有较大的影响。为此，进厂钢板不宜露天堆放，切割前应进行抛丸处理。对割嘴要正确使用和经常清理。
五、减少切割变形的措施
严重的切割变形将使零件尺寸超差，影响后序装对焊接，甚至造成报废。因此，为了减小切割变形，提高切割零件的尺寸精度，采用了以下措施：
1、编程时选择合理的切割顺序、切割方向和切割起点。在进行多零件套切下料时应遵循“先切小零件，再切大零件;先切孔，再切外形”的原则。在切割时应根据零件的外形及在钢板上排放的位置，分析零件的切割变形趋势，确定出合理的起点及切割方向。
一般来说，在板厚相同的条件下，外形尺寸大的零件切割变形比外形尺寸小的零件小；长宽比小的零件切割变形比长宽比大的零件小；摆放在靠近钢板中间的零件比在边缘的零件切割变形小。因此，在切割过程中，应尽可能地使该零件最后切割的边与不易发生位移的钢板相连。
对一些长宽比较大的窄长条形零件，编程时仅从切割顺序上考虑仍不能有效控制变形，还需要考虑采用间断切割法。即在零件的切割同边上设置两个以上的暂不切割点这儿个点在切割过程中将零件与钢板连成为一个整体，待其它部分切割完后，再切开这几个点。这样可以减少零件在长度方向上的收缩变形。
2、对于长宽比较大、宽度大于割炬之间最小距离的矩形零件，可集中下料，采用几个割炬同时做类似于“弓”形的切割，两相邻零件共用一个切口，不仅能有效地减小切割变形，而且还提高了切割效率与钢材利用率。
3、支撑钢板的托架是否平整与稳定也直接影响切割质量。托架支承部位与钢板接触面应小些，接触点不宜过多，应平衡，呈水平面。倾斜和摇晃都容易使钢板晃动，影响切割尺寸及切口垂直度。因此，托架既要考虑铺平钢板，又要考虑操作人员行走安全和吊卸方便，应对其定期调整。
六、窄长孔的切割质量控制
如果采用一般的起点穿孔方式，穿孔时容易切伤零件，火焰切割机切割后起点处易出现切割面熔化现象等严重缺陷，致使质量达不到要求。因此设置了新的起点穿孔程序，定义起点切入矢量长度为5mm，控制预热时间，调整切割速度，合理确定起点位置和切割方向，即在保证割透的前提下，缩短预热时间，加快切割速度，穿孔火焰以30°-45°夹角切入，且穿孔点选在距孔一端30mm-50mm的地方。这样，可以减少穿孔时吹起的熔渣堆积在尚未切割的板面上。若穿孔点距槽端较近，当割炬返回到穿孔点附近时，少量堆积在孔点附近的熔渣还处于熔融状态，氧化较为容易，会产生粘连割不断的现象，造成切割中断。

⑽ 半导体晶圆在切割时产生的硅粉如何处理

我前一个单位是切割的时候纯水里加了切割液，切割完成后直接纯水清洗的，当然了切割液的浓度会根据晶圆的厚度和尺寸作调整。没刻意去处理切割下产生的硅粉。