为什么粗硅都在中国加工
⑴ 化学:工业制硅原理:第一步SIO2+2C,用C还原出来的为什么是粗硅第一步WHY直接用H2还原
因为 C和SIO2都是固态物质 不能确定反应是否反应完全 所以还原出来的物质中海油sio2 和SI 或者c和si
⑵ 什么是粗硅
粗硅是指刚用碳还原二氧化硅得到的硅,因为里面含有较多杂质所以叫粗硅
⑶ 工业生产粗硅的主要原理为:SiO2 + 2C Si(粗) +2CO↑ ⑴若在制粗硅的过程中同时生成了碳化硅,
硅生成碳化硅的方程式:
Si+C=高温=SiC
碳化硅和硅的物质的量为一比一,也就是说,硅内有两份容
生成一份单质硅需要两份碳,生成一份碳化硅则要在生成单质硅的基础上再加上一份
既然现在两者是1:1,也就是说,如果硅有两份,碳就要有五份,
即硅和碳在物质的量上是1:2.5的关系,硅的相对质量28,碳是12
28*1:12*2.5,最后得出的质量比为:m(Si):m(C)=14:15
⑷ 为什么粗硅提纯必须在无氧的氛围中进行
制作单晶硅(电脑等精密仪器使用)时,由此方法(SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl)
而粗硅是用焦炭还原回二氧化硅(SiO2+2C=高温=Si+2CO↑).如果有氧答情况下,氧气将使C氧化.所以要在无氧情况下提纯.
⑸ 粗硅为何要提纯
不提纯无法制作精密原件
⑹ 粗硅提取为什么是生成CO
我是个高三的学生也在迷惑贴吧上找到了答案
贴上
可以用Ellingham图定性解释。
图中的回红线和蓝线是我答作的辅助线。
可以看出,在大约1700~1800℃时,SiO2的线才和CO交上,而且在CO2线的下方,说明,1700℃以下,C是不能还原SiO2的,而在1700~1800℃左右之上,可以还原,生成Si和CO。在大约2500℃时,SiO2线与CO2线交上,说明2500℃以上时,C还原SiO2时的产物是Si和CO2.
实际的反应是在电炉中,1800~2000℃反应的。所以产物主要是Si和CO。当然,2000℃时,C也会和Si生成SiC。
同样的道理,C还原MgO时,得到的也是CO,而不是CO2.
⑺ 粗硅提纯为什么必须在无氧情况下进行
制作单晶硅(来电脑等精密仪器使源用)时,由此方法(SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl)
而粗硅是用焦炭还原二氧化硅(SiO2+2C=高温=Si+2CO↑)。如果有氧情况下,氧气将使C氧化。所以要在无氧情况下提纯。
⑻ 粗硅为什么不能直接用于制造太阳能电池
粗硅的杂质含量太高,对于太阳能电池的光电转换效率和电力输出特性不版利,杂质会在电池内部将权光生载流子复合掉,从而没有实际利用价值 硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。
⑼ 为什么国外企业都喜欢到中国来加工产品试分析其中的原因
很简单,目前中国人口(纯粹靠体力劳动力吃饭的劳动者)世界最多,工专资比西方发达国家远低,而且属,相对同样人口多的东南亚国家来说,我们目前已经具备初步的完整的各加工工业体系,同时政治局势相对稳定。因此,在我国来加工可以大量节省劳动力成本,从而使产品在销售时候有价格优势。这是发达国家企业都喜欢到中国来加工主要原因,当然,发达国家把落后的产能往中国推,自己在高新产能方面继续努力(当然把中国排除在外)从而,不断保持对中国的工业、商业、贸易优势也是其考虑的重要因素。所以,在此阶段,国家一方面要保持加工业的健康发展,同时也要在自主知识产权上多下工夫才是老百姓生活水平最终达到或超越西方发达国家水平的正道
⑽ 粗硅提纯要什么条件
首先,方法不同,条件不同。
方法一:(1)SiO2+2C=(条件:3270K)Si+2CO
(2)Si(粗)+2Cl2(g)==(720~770k)==SiCl4(l)
(3) SiCl4+2H2==电炉==Si(纯)+4HCl
方法二:(1)Si(粗)+3HCl(g)==可逆内(520~570k)==SiHCl3(l)+H2(g)
(2)精馏方法,提纯SiHCl3
(3)提纯后再用氢容气还原。H2+SiHCl3=(1084℃)==Si(纯)+3HCl
方法三:(4)Na2SiF6+4Na====6NaF+Si 摘自冀师大版(无机.下)P510
方法优缺点:方法一需要高温,耗能大,一般工业上常用
方法二反应温度较低,耗能少,但生成的三氯硅甲烷易自燃,实验室常用
方法三较廉价
注:方法二制备过程中必须无水无氧。提纯后再用氢气还原若混入氧气,硅被氧化得不到高纯硅且还会引起爆炸。