碳化硅机械密封加工方式是什么

『壹』 机械密封用SiC生产过程

SiC陶瓷的生产工艺简述如下：

一、SiC粉末的合成：

SiC在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发现，因此，工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有：

1、Acheson法：

这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质，在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿色，杂质多的呈黑色。

2、化合法：

在一定的温度下，使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的β－SiC粉末。

3、热分解法：

使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200～1500℃的温度范围内发生分解反应，由此制得亚微米级的β－SiC粉末。

4、气相反相法：

使SiCl4和SiH4等含硅的气体以及CH4、C3H8、C7H8和（Cl4等含碳的气体或使CH3SiCl3、（CH3）2 SiCl2和Si（CH3）4等同时含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此制备纳米级的β－SiC超细粉。

二、碳化硅陶瓷的烧结

1、无压烧结

1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1．732是致密化的热力学条件，当同时添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此B和C的添加为SiC的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β－SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。

以α－SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。

研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2／g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0．5％左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。

最近，有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性大大改善。

2、热压烧结

50年代中期，美国Norton公司就开始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧结的影响。实验表明：Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂。

有研究者以Al2O3为添加剂，通过热压烧结工艺，也实现了SiC的致密化，并认为其机理是液相烧结。此外，还有研究者分别以B4C、B或B与C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作添加剂，采用热压烧结，也都获得了致密SiC陶瓷。

研究表明：烧结体的显微结构以及力学、热学等性能会因添加剂的种类不同而异。如：当采用B或B的化合物为添加剂，热压SiC的晶粒尺寸较小，但强度高。当选用Be作添加剂，热压SiC陶瓷具有较高的导热系数。

3、热等静压烧结：

近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学性能，研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步，通过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。

研究表明：当SiC粉末的粒径小于0．6μm时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24m2／g的SiC超细粉，采用热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。

另外，Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有效添加剂。而C的添加对SiC陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用，过量的C甚至会抑制SiC陶瓷的烧结。

4、反应烧结：

SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8％的游离Si。因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。

实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。

总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。

『贰』 碳化硅机封加什么油

碳化硅机封不加油啊！
我们常见的机械密封，一般采用碳化硅、石墨来制作。版通常，机封的动环材质为碳权化硅，静环材质为石墨。为什么会用这样两种材质来做机封呢？主要有以下原因：
1.碳化硅硬度很大，摩氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石，具有优良的导热性能。
2. 石墨具有耐高温（3652 ℃）、导电、导热性、自润滑性好，化学性能稳定性，可塑性高。
3.以上两种材质组成的摩擦副密合性能好，材料的导热性能好，所以自散热性能好。

『叁』 机械密封中的碳化硅环怎么镶

1.精车镶碳化硅来环的尺寸，与碳源化硅环外圆公差配车，一般是H8/V7的的配合
2.将精车好的金属环座放入电炉中（约800度恒温），均匀加热，约30分钟后，将环座取出，由于热胀冷缩的原理，导致镶环位置尺寸变大，这时可以轻松的将碳化硅环放入环座内，保证镶嵌平整
3.时效处理，将镶嵌好的密封环组件，放入电炉中，恒温300度，持续12～24小时，之后关闭电炉，待密封环组件在电炉中自然冷却
4.精研密封环密封面，达到出厂标准！
工序就是这些，希望对你有帮助

『肆』 机械密封中的碳化硅环怎么镶

1.精车镶碳化硅环的尺寸，与碳化硅环外圆公差配车，一般是H8/V7的的配合
2.将精车好的版金属环座放入电权炉中(约800度恒温)，均匀加热，约30分钟后，将环座取出，由于热胀冷缩的原理，导致镶环位置尺寸变大，这时可以轻松的将碳化硅环放入环座内，保证镶嵌平整
3.时效处理，将镶嵌好的密封环组件，放入电炉中，恒温300度，持续12~24小时，之后关闭电炉，待密封环组件在电炉中自然冷却
4.精研密封环密封面，达到出厂标准!
工序就是这些，希望对你有帮助

『伍』 碳化硅-石墨（或耐高温机械密封）的泵用机械密封在静态下气试出现密封面处泄露，请高手指点问题所在谢谢！

可能是面之间有气体或是没擦干净，您可以把机封面多转转再测试；实在不行就重新安装，把面用镜头纸蘸清洗剂擦擦干净，看看面上有没有裂纹或是磨花，如没有，重装后应该没事的。

『陆』 机械密封是碳化硅等等好还是合金氟橡胶的好

你是问机械密封的摩擦副组对吗，
当然是碳化硅对碳化硅好了
机械密封中，最优组合是碳化硅和石墨组对，
因介质局限，可以碳化硅和碳化硅，
但它们特易碎，
因此有了合金等作为摩擦副，耐碰撞，
但极限PV值大为降低

『柒』 机械密封如何选用碳化硅和合硬质合金

碳化抄硅和硬质合金在选用主要要根袭据具体介质的特性，其中碳化硅的优点主要是：1.一般来说碳化硅的自润滑性优于硬质合金，2.碳化硅的成本低于硬质合金； 硬质合金的优点主要有：1.适用的范围比碳化硅广，2.韧性比碳化硅强，在装卸机封时相对来说不容易破碎 两者的优缺点基本互补，所以在选用时尽量综合考虑，另外就是在强碱介质中如果选用碳化硅建议选用常压烧结碳化硅

『捌』 机械密封用氮化硅环与碳化硅环

他们都是陶瓷，氮化硅的机械密封多用于定环耐高温、腐蚀，缺点就是太脆易碎。碳化硅比氮化硅稍有柔性优于它，但是在耐磨上还是氮化硅好！但是现在的化工行业大部分用硬质合金的金属机械密封！