為什麼粗硅都在中國加工
⑴ 化學：工業制硅原理：第一步SIO2+2C，用C還原出來的為什麼是粗硅第一步WHY直接用H2還原
因為 C和SIO2都是固態物質 不能確定反應是否反應完全 所以還原出來的物質中海油sio2 和SI 或者c和si
⑵ 什麼是粗硅
粗硅是指剛用碳還原二氧化硅得到的硅，因為裡面含有較多雜質所以叫粗硅
⑶ 工業生產粗硅的主要原理為：SiO2 + 2C Si(粗) +2CO↑ ⑴若在制粗硅的過程中同時生成了碳化硅，
硅生成碳化硅的方程式：
Si+C=高溫=SiC
碳化硅和硅的物質的量為一比一，也就是說，硅內有兩份容
生成一份單質硅需要兩份碳，生成一份碳化硅則要在生成單質硅的基礎上再加上一份
既然現在兩者是1:1，也就是說，如果硅有兩份，碳就要有五份，
即硅和碳在物質的量上是1:2.5的關系，硅的相對質量28，碳是12
28*1:12*2.5，最後得出的質量比為：m(Si):m(C)=14:15
⑷ 為什麼粗硅提純必須在無氧的氛圍中進行
製作單晶硅（電腦等精密儀器使用）時,由此方法（SiCl4+2H2=高溫=Si+4HCl）
而粗硅是用焦炭還原回二氧化硅（SiO2+2C=高溫=Si+2CO↑）.如果有氧答情況下,氧氣將使C氧化.所以要在無氧情況下提純.
⑸ 粗硅為何要提純
不提純無法製作精密原件
⑹ 粗硅提取為什麼是生成CO
我是個高三的學生也在迷惑貼吧上找到了答案
貼上
可以用Ellingham圖定性解釋。
圖中的回紅線和藍線是我答作的輔助線。
可以看出，在大約1700～1800℃時，SiO2的線才和CO交上，而且在CO2線的下方，說明，1700℃以下，C是不能還原SiO2的，而在1700～1800℃左右之上，可以還原，生成Si和CO。在大約2500℃時，SiO2線與CO2線交上，說明2500℃以上時，C還原SiO2時的產物是Si和CO2.
實際的反應是在電爐中，1800～2000℃反應的。所以產物主要是Si和CO。當然，2000℃時，C也會和Si生成SiC。
同樣的道理，C還原MgO時，得到的也是CO，而不是CO2.
⑺ 粗硅提純為什麼必須在無氧情況下進行
製作單晶硅（來電腦等精密儀器使源用）時，由此方法（SiCl4+2H2=高溫=Si+4HCl）
而粗硅是用焦炭還原二氧化硅（SiO2+2C=高溫=Si+2CO↑）。如果有氧情況下，氧氣將使C氧化。所以要在無氧情況下提純。
⑻ 粗硅為什麼不能直接用於製造太陽能電池
粗硅的雜質含量太高，對於太陽能電池的光電轉換效率和電力輸出特性不版利，雜質會在電池內部將權光生載流子復合掉，從而沒有實際利用價值 矽片是太陽能電池片的載體，矽片質量的好壞直接決定了太陽能電池片轉換效率的高低，因此需要對來料矽片進行檢測。這些參數主要包括矽片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設備分自動上下料、矽片傳輸、系統整合部分和四個檢測模塊。其中，光伏矽片檢測儀對矽片表面不平整度進行檢測,同時檢測矽片的尺寸和對角線等外觀參數；微裂紋檢測模塊用來檢測矽片的內部微裂紋；另外還有兩個檢測模組，其中一個主要測試矽片體電阻率和矽片類型，另一個模塊用於檢測矽片的少子壽命。在進行少子壽命和電阻率檢測之前，需要先對矽片的對角線、微裂紋進行檢測，並自動剔除破損矽片。矽片檢測設備能夠自動裝片和卸片，並且能夠將不合格品放到固定位置，從而提高檢測精度和效率。
⑼ 為什麼國外企業都喜歡到中國來加工產品試分析其中的原因
很簡單，目前中國人口（純粹靠體力勞動力吃飯的勞動者）世界最多，工專資比西方發達國家遠低，而且屬，相對同樣人口多的東南亞國家來說，我們目前已經具備初步的完整的各加工工業體系，同時政治局勢相對穩定。因此，在我國來加工可以大量節省勞動力成本，從而使產品在銷售時候有價格優勢。這是發達國家企業都喜歡到中國來加工主要原因，當然，發達國家把落後的產能往中國推，自己在高新產能方面繼續努力（當然把中國排除在外）從而，不斷保持對中國的工業、商業、貿易優勢也是其考慮的重要因素。所以，在此階段，國家一方面要保持加工業的健康發展，同時也要在自主知識產權上多下工夫才是老百姓生活水平最終達到或超越西方發達國家水平的正道
⑽ 粗硅提純要什麼條件
首先，方法不同，條件不同。
方法一：（1）SiO2+2C=(條件:3270K)Si+2CO
(2)Si(粗)+2Cl2(g)==(720~770k)==SiCl4(l)
(3) SiCl4+2H2==電爐==Si(純)+4HCl
方法二：(1)Si(粗)+3HCl(g)==可逆內(520~570k)==SiHCl3(l)+H2(g)
(2)精餾方法，提純SiHCl3
(3)提純後再用氫容氣還原。H2+SiHCl3=(1084℃)==Si(純)+3HCl
方法三：(4)Na2SiF6+4Na====6NaF+Si 摘自冀師大版(無機.下)P510
方法優缺點：方法一需要高溫，耗能大，一般工業上常用
方法二反應溫度較低，耗能少，但生成的三氯硅甲烷易自燃，實驗室常用
方法三較廉價
註：方法二制備過程中必須無水無氧。提純後再用氫氣還原若混入氧氣，硅被氧化得不到高純硅且還會引起爆炸。