碳化硅機械密封加工方式是什麼

『壹』 機械密封用SiC生產過程

SiC陶瓷的生產工藝簡述如下：

一、SiC粉末的合成：

SiC在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發現，因此，工業上應用的SiC粉末都為人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有：

1、Acheson法：

這是工業上採用最多的合成方法，即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱至2500℃左右高溫反應製得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質，在製成的SiC中都固溶有少量雜質。其中，雜質少的呈綠色，雜質多的呈黑色。

2、化合法：

在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發生反應。由此可合成高純度的β－SiC粉末。

3、熱分解法：

使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機硅聚合物在1200～1500℃的溫度范圍內發生分解反應，由此製得亞微米級的β－SiC粉末。

4、氣相反相法：

使SiCl4和SiH4等含硅的氣體以及CH4、C3H8、C7H8和（Cl4等含碳的氣體或使CH3SiCl3、（CH3）2 SiCl2和Si（CH3）4等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發生反應，由此制備納米級的β－SiC超細粉。

二、碳化硅陶瓷的燒結

1、無壓燒結

1974年美國GE公司通過在高純度β－SiC細粉中同時加入少量的B和C，採用無壓燒結工藝，於2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為：晶界能與表面能之比小於1．732是緻密化的熱力學條件，當同時添加B和C後，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此B和C的添加為SiC的緻密化創造了熱力學方面的有利條件。然而，日本研究人員卻認為SiC的緻密並不存在熱力學方面的限制。還有學者認為，SiC的緻密化機理可能是液相燒結，他們發現：在同時添加B和C的β－SiC燒結體中，有富B的液相存在於晶界處。關於無壓燒結機理，目前尚無定論。

以α－SiC為原料，同時添加B和C，也同樣可實現SiC的緻密燒結。

研究表明：單獨使用B和C作添加劑，無助於SiC陶瓷充分緻密。只有同時添加B和C時，才能實現SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的緻密燒結，SiC粉料的比表面積應在10m2／g以上，且氧含量盡可能低。B的添加量在0．5％左右，C的添加量取決於SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。

最近，有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃溫度下實現SiC的緻密燒結。由於燒結溫度低而具有明顯細化的微觀結構，因而，其強度和韌性大大改善。

2、熱壓燒結

50年代中期，美國Norton公司就開始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金屬添加物對SiC熱壓燒結的影響。實驗表明：Al和Fe是促進SiC熱壓緻密化的最有效的添加劑。

有研究者以Al2O3為添加劑，通過熱壓燒結工藝，也實現了SiC的緻密化，並認為其機理是液相燒結。此外，還有研究者分別以B4C、B或B與C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑，採用熱壓燒結，也都獲得了緻密SiC陶瓷。

研究表明：燒結體的顯微結構以及力學、熱學等性能會因添加劑的種類不同而異。如：當採用B或B的化合物為添加劑，熱壓SiC的晶粒尺寸較小，但強度高。當選用Be作添加劑，熱壓SiC陶瓷具有較高的導熱系數。

3、熱等靜壓燒結：

近年來，為進一步提高SiC陶瓷的力學性能，研究人員進行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑，採用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑SiC陶瓷的緻密燒結。

研究表明：當SiC粉末的粒徑小於0．6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其緻密化。如選用比表面積為24m2／g的SiC超細粉，採用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高緻密度的無添加劑SiC陶瓷。

另外，Al2O3是熱等靜壓燒結SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結緻密化不起作用，過量的C甚至會抑制SiC陶瓷的燒結。

4、反應燒結：

SiC的反應燒結法最早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α－SiC粉和石墨粉按比例混勻，經干壓、擠壓或注漿等方法製成多孔坯體。在高溫下與液態Si接觸，坯體中的C與滲入的Si反應，生成β－SiC，並與α－SiC相結合，過量的Si填充於氣孔，從而得到無孔緻密的反應燒結體。反應燒結SiC通常含有8％的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整最初混合料中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度級配，C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。

實驗表明，採用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的SiC陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強鹼具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等超強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低於900℃時，幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高；當溫度超過1400℃時，反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。（這是由於燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致）對於無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。

總之，SiC陶瓷的性能因燒結方法不同而不同。一般說來，無壓燒結SiC陶瓷的綜合性能優於反應燒結的SiC陶瓷，但次於熱壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷。

『貳』 碳化硅機封加什麼油

碳化硅機封不加油啊！
我們常見的機械密封，一般採用碳化硅、石墨來製作。版通常，機封的動環材質為碳權化硅，靜環材質為石墨。為什麼會用這樣兩種材質來做機封呢？主要有以下原因：
1.碳化硅硬度很大，摩氏硬度為9.5級，僅次於世界上最硬的金剛石，具有優良的導熱性能。
2. 石墨具有耐高溫（3652 ℃）、導電、導熱性、自潤滑性好，化學性能穩定性，可塑性高。
3.以上兩種材質組成的摩擦副密合性能好，材料的導熱性能好，所以自散熱性能好。

『叄』 機械密封中的碳化硅環怎麼鑲

1.精車鑲碳化硅來環的尺寸，與碳源化硅環外圓公差配車，一般是H8/V7的的配合
2.將精車好的金屬環座放入電爐中（約800度恆溫），均勻加熱，約30分鍾後，將環座取出，由於熱脹冷縮的原理，導致鑲環位置尺寸變大，這時可以輕松的將碳化硅環放入環座內，保證鑲嵌平整
3.時效處理，將鑲嵌好的密封環組件，放入電爐中，恆溫300度，持續12～24小時，之後關閉電爐，待密封環組件在電爐中自然冷卻
4.精研密封環密封面，達到出廠標准！
工序就是這些，希望對你有幫助

『肆』 機械密封中的碳化硅環怎麼鑲

1.精車鑲碳化硅環的尺寸，與碳化硅環外圓公差配車，一般是H8/V7的的配合
2.將精車好的版金屬環座放入電權爐中(約800度恆溫)，均勻加熱，約30分鍾後，將環座取出，由於熱脹冷縮的原理，導致鑲環位置尺寸變大，這時可以輕松的將碳化硅環放入環座內，保證鑲嵌平整
3.時效處理，將鑲嵌好的密封環組件，放入電爐中，恆溫300度，持續12~24小時，之後關閉電爐，待密封環組件在電爐中自然冷卻
4.精研密封環密封面，達到出廠標准!
工序就是這些，希望對你有幫助

『伍』 碳化硅-石墨（或耐高溫機械密封）的泵用機械密封在靜態下氣試出現密封面處泄露，請高手指點問題所在謝謝！

可能是面之間有氣體或是沒擦乾凈，您可以把機封面多轉轉再測試；實在不行就重新安裝，把面用鏡頭紙蘸清洗劑擦擦乾凈，看看面上有沒有裂紋或是磨花，如沒有，重裝後應該沒事的。

『陸』 機械密封是碳化硅等等好還是合金氟橡膠的好

你是問機械密封的摩擦副組對嗎，
當然是碳化硅對碳化硅好了
機械密封中，最優組合是碳化硅和石墨組對，
因介質局限，可以碳化硅和碳化硅，
但它們特易碎，
因此有了合金等作為摩擦副，耐碰撞，
但極限PV值大為降低

『柒』 機械密封如何選用碳化硅和合硬質合金

碳化抄硅和硬質合金在選用主要要根襲據具體介質的特性，其中碳化硅的優點主要是：1.一般來說碳化硅的自潤滑性優於硬質合金，2.碳化硅的成本低於硬質合金； 硬質合金的優點主要有：1.適用的范圍比碳化硅廣，2.韌性比碳化硅強，在裝卸機封時相對來說不容易破碎 兩者的優缺點基本互補，所以在選用時盡量綜合考慮，另外就是在強鹼介質中如果選用碳化硅建議選用常壓燒結碳化硅

『捌』 機械密封用氮化硅環與碳化硅環

他們都是陶瓷，氮化硅的機械密封多用於定環耐高溫、腐蝕，缺點就是太脆易碎。碳化硅比氮化硅稍有柔性優於它，但是在耐磨上還是氮化硅好！但是現在的化工行業大部分用硬質合金的金屬機械密封！