选择区域电子衍射用什么仪器做
㈠ 选取电子衍射的选择区域大概有多大
最常见的是200nm直径的区域
也有500nm直径和1000nm直径的，可以手动调挡
㈡ 怎么用digital micrograph选取电子衍射作图
既然你能下载这个软件，如果你能找到相应的说明书就可以了。但有个要求，就是你最好是dm3格式的文件，如果是JPEG或者TIFF格式的，那么还得转换图片格式，比较麻烦。第一种方法的大致做法如下：1. 用DM打开图片，找到需要分析的范围，点选ROI tools里面的虚线方框，按住ALT键，在所分析区域周围拉一个合适大小的正方形2. 选Process菜单下的FFT，得到倒易空间的衍射图形，点选ROI tools里的虚线，拉一条对称于中心斑点的直线，两端准确落于对称的两个衍射点（最近中心斑的两个点）3. 在Control对话框，读取L的值，应该是纳米分之一为单位，除以2，取倒数就是d值。4. 如果找不到Control对话框，找到Windows－－Floating windows，选show all，找到相应对话框即可。第二种方法：1. 同样打开图片，在standard tools里面，找到一个图标：是一个方框里面有一条曲线，应该在图标“A”的下面。2. 点选此图标，在你要测量的区域对应的晶面垂直方向拉一条直线，这个时候就会跳出一个Profile of calibration的图，对应有连续的峰3. 鼠标点选一个峰的峰值，按住，拉动到相邻峰值，中间会出来一个数值，就是对应两个晶面之间的d值。个人推荐第一种。如果要变换图片格式，就要麻烦一些，因为标尺需要重新划，那么还是用你喜欢的老办法处理吧。
目前电子衍射的设备很多，但都要依附于超高真空设备中，
简单介绍几种如下：
1、如表面科学中的低能电子衍射（LEED)，主要应用于高取向晶体表面晶格的研究，比如畸变，吸附。
LEED结构目前也应用在透射电子显微镜（TEM)中，利用聚焦到很小光斑的电子束对纳米结构中的局域有序做结构探测。
LEED只能够作晶格类型分析，不能进行元素分析。
2、反射式高能电子衍射（RHEED)，主要应用于分子束外延等设备的原位监测，能够很好的反映表面晶格的平整度，观测材料生长中的衍射强度及位置的振荡。
3、电子显微镜附件，主要是场发射扫描电子显微镜（FESEM)，一般属于附件，称选区电子衍射（SAD），可以利用质能选择器对反射电子作元素分析，能够分析很小的区域元素组成，但结果较为粗糙。
电子衍射的原理可以参考XRD，观测到的衍射花纹都是表面晶格的倒易格点，可能是一套，也可能是几套。
一般，除了纳米材料研究中在电镜用电子衍射中常将衍射花纹作为晶格类型的佐证外，常规的LEED和RHEED并不作体材料三维晶格研究，而只用于表面晶格的判定，因为电子衍射一般只能反映晶格的二维表面结构，而不同晶体结构的晶体之间，它们的某一表面取向上它的对称性及衍射斑点可能会完全一致。
电子衍射一般只用于测试二维晶体结构，无法简单作三维体晶格判定，更无法单独作元素判定。
所以你所说的ED测定晶格的说法是要注意的，ED很少或几乎没有单独研究三维晶体结构。
电子衍射结构其实很简单，简单讲就三个部件：
1、灯丝，用于产生电子
2、加速电压，
（1) 电子加速电压 （电压大小要单独可控）
（2) xy平面内的转向电压
3、荧光屏，注意导电接地。
此外电子衍射还需要有一个超高真空腔体作为设备的基础；
还要有一个位置可调的多维样品架（样品台）系统；
如果需要做衍射斑点位置亮度分析，还要有CCD图像采集系统。
㈣ 求教透射电镜选区电子衍射图，像多晶但环不连续怎么回事
电子衍射的原理和XRD是一样的，都是有布拉格方程而来，你学一下XRD的结构消光专就可以了；
二次属衍射就是：入射电子与原子和作用后产生衍射，在衍射路径中又与另一个原子作用，产衍射（这不是定义，我的理解），就是电子在材料中衍射了两次。
你这是两种晶体结构的材料，按理来说应该产生两套衍射花样，就是在BN的花样中还会出现另一套花样。
㈤ 选区电子衍射的操作
选区电子衍射的操作:
1) 在成像的操作方式下，使物镜精确聚焦，获得清晰的形貌像。
2) 插入并选用尺寸合适的选区光栏围住被选择的视场。
3) 减小中间镜电流，使其物平面与物镜背焦面重合，转入衍射操作方式。对于近代的电镜，此步操作可按“衍射”按钮自动完成。
4) 移出物镜光栏，在荧光屏上显示电子衍射花样可供观察。
5) 需要拍照记录时，可适当减小第二聚光镜电流，获得更趋近平行的电子束，使衍射斑点尺寸变小。
选区电子衍射的准确性：
1）物镜球差的影响。
2）物镜聚焦的影响。
㈥ 选区电子衍射上怎么标注各个晶面数据
这涉及到非常高深的晶体点阵学知识，我原来请教过一个高人，可惜学了很长时间版都没有学会
你可以看看孙权世刚和夏幼男的文章，里面有些阐述的
衍射斑点是有倒格子空间，所以量衍射中心到某点的距离后，还需要转到正空间得到相应的数值，把这个数值与PDF卡片对照可以确定相当的晶面。你所给出的三幅图是如下得到的：1.低倍透射得a; 2. SAED得b; 3. 在a中白框处放大得到高分辨的c图。c的插图是对高分辨相进行快速傅立叶变换得到。 这里关键是标定b,如上所说这很容易。标定c,直接量出间距，并对着标尺换算就可以。b,c互相对比吻合确定下晶面。
很显然这里的晶面是等同的，几个晶向当然也是等同的。
只要会基本的TEM标定分析，解析这个比较容易。
㈦ 选区电子衍射的介绍
选区电子衍射(SAED,selected area electron diffraction)由选区形貌观察与电子衍射结构分析的微区对应性，实现晶体样品的形貌特征与晶体学性质的原位分析。
㈧ 电子衍射的方法
1、如表面科学中的低能电子衍射（LEED），主要应用于高取向晶体表面晶格的研究，比如畸变，吸附。
LEED结构也应用在透射电子显微镜（TEM）中，利用聚焦到很小光斑的电子束对纳米结构中的局域有序做结构探测。
LEED只能够作晶格类型分析，不能进行元素分析。
2、反射式高能电子衍射（RHEED），主要应用于分子束外延等设备的原位监测，能够很好的反映表面晶格的平整度，观测材料生长中的衍射强度及位置的振荡。
3、电子显微镜附件，主要是场发射扫描电子显微镜（FESEM），一般属于附件，称选区电子衍射（SAD），可以利用质能选择器对反射电子作元素分析，能够分析很小的区域元素组成，但结果较为粗糙。
电子衍射的原理可以参考XRD，观测到的衍射花纹都是表面晶格的倒易格点，可能是一套，也可能是几套。
一般，除了纳米材料研究中在电镜用电子衍射中常将衍射花纹作为晶格类型的佐证外，常规的LEED和RHEED并不作体材料三维晶格研究，而只用于表面晶格的判定，因为电子衍射一般只能反映晶格的二维表面结构，而不同晶体结构的晶体之间，它们的某一表面取向上它的对称性及衍射斑点可能会完全一致。
电子衍射一般只用于测试二维晶体结构，无法简单作三维体晶格判定，更无法单独作元素判定。
所以你所说的ED测定晶格的说法是要注意的，ED很少或几乎没有单独研究三维晶体结构。
电子衍射结构其实很简单，简单讲就三个部件：
1、灯丝，用于产生电子
2、加速电压，
⑴ 电子加速电压 （电压大小要单独可控）
⑵ xy平面内的转向电压
3、荧光屏，注意导电接地。
此外电子衍射还需要有一个超高真空腔体作为设备的基础；
还要有一个位置可调的多维样品架（样品台）系统；
如果需要做衍射斑点位置亮度分析，还要有CCD图像采集系统。
㈨ 选区电子衍射在文献里面可以用彩色的吗
既然你能这个软件，如果你能找到相应的说明书就可以了。但有个要求，就是你最好是dm3格式的文件，如果是JPEG或者TIFF格式的，那么还得转换图片格式，比较麻烦。第一种方法的大致做法如下：1. 用DM打开图片，找到需要分析的范围，点选ROI tools里面的虚线方框，按住ALT键，在所分析区域周围拉一个合适大小的正方形2. 选Process菜单下的FFT，得到倒易空间的衍射图形，点选ROI tools里的虚线，拉一条对称于中心斑点的直线，两端准确落于对称的两个衍射点（最近中心斑的两个点）3. 在Control对话框，读取L的值，应该是纳米分之一为单位，除以2，取倒数就是d值。4. 如果找不到Control对话框，找到Windows－－Floating windows，选show all，找到相应对话框即可。第二种方法：1. 同样打开图片，在standard tools里面，找到一个图标：是一个方框里面有一条曲线，应该在图标“A”的下面。2. 点选此图标，在你要测量的区域对应的晶面垂直方向拉一条直线，这个时候就会跳出一个Profile of calibration的图，对应有连续的峰3. 鼠标点选一个峰的峰值，按住，拉动到相邻峰值，中间会出来一个数值，就是对应两个晶面之间的d值。个人第一种。如果要变换图片格式，就要麻烦一些，因为标尺需要重新划，那么还是用你喜欢的老办法处理吧。
㈩ 为什么在选区电子衍射时很容易获得电子衍射
为什么再选去电子辐射，是很容易获得电子红色这个的话肯定是啊，因为他电子的话它本身就是肤色比较大一点的。