焊接电极如何避免肖特基势垒的产生

㈠ 请问各位，欧姆接触与肖特基接触有什么不同如何区别

1、定义不同

欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。

2、势垒不同

欧姆接触的界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

而肖特基接触存在较大的接触势垒。

3、形成条件不同

欲形成欧姆接触，有两个先决条件：一是金属与半导体间有低的势垒高度，二是半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3)。前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。