led倒装用什么焊接

1. 求教，LED正装和倒装的原理和区别

LED正装原理：

正装结构，从上至下材料为：P-GaN、发光层、N-GaN、衬底。正装结构有源区发出的光经由P型GaN区和透明电极出射，采用的方法是在P型GaN上制备金属透明电极，使电流稳定扩散，达到均匀发光的目的。

LED倒装原理：

倒装芯片（filp chip）技术，是在芯片的P极和N极下方用金线焊线机制作两个金丝球焊点，作为电极的引出机构，用金线来连接芯片外侧和Si底板。LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。

LED正装与倒装区别有：

1、固晶不同：正装小芯片采取在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片，而倒装芯片多采用导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连，且本身支架基座通常为导热系数较高的铜材。

2、焊线不同：正装小芯片通常封装后驱动电流较小且发热量也相对较小，因此采用正负电极各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金线与支架正负极相连即可；而倒装功率芯片驱动电流一般在350mA以上，芯片尺寸较大，通常在芯片正负极与支架正负极间各自焊接两根φ1.0～φ1.25mil的金线。

3、荧光粉选择不同：正装小芯片一般驱动电流在20mA左右，而倒装功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用过程中各自的发热量相差甚大，在散热处理不好的情况下，荧光粉长时间老化衰减严重，因此在倒装芯片封装过程中建议使用耐高温性能更好的硅酸盐荧光粉。

4、胶体的选择不同：正装小芯片发热量较小，因此传统的环氧树脂就可以满足封装的需要；而倒装功率芯片发热量较大，需要采用硅胶来进行封装。

5、点胶不同：正装小芯片的封装通常采用传统的点满整个反射杯覆盖芯片的方式来封装，而倒装功率芯片封装过程中，由于多采用平头支架，因此为了保证整个荧光粉涂敷的均匀性提高出光率而建议采用保型封装(Conformal-Coating)的工艺。

6、灌胶成型不同：正装芯片通常采用在模粒中先灌满环氧树脂然后将支架插入高温固化的方式；而倒装功率芯片则需要采用从透镜其中一个进气孔中慢慢灌入硅胶的方式来填充，填充的过程中应提高操作避免烘烤后出现气泡和裂纹、分层等现象影响成品率。

7、散热设计不同：正装小芯片通常无额外的散热设计；而倒装功率芯片通常需要在支架下加散热基板，特殊情况下在散热基板后添加风扇等方式来散热；在焊接支架到铝基板的过程中 建议使用功率<30W的恒温电烙铁温度低于230℃，停留时间<3S来焊接。

2. LED显示屏电路板制作以及焊接都是用什么机器

回流焊、波峰焊

3. 分享LED焊接用什么锡膏才合适

行业中多用低温锡膏。如锡铋二元锡膏。一般是58：42的。

4. 大功率LED倒装芯片焊接锡膏哪家好

大功率LED倒装芯片焊接锡膏哪家好,这个问题比较不好回答，因为每个客回户的需求不一样，脱答离产品及价格以及服务等因素讨论这个问题是没有什么意义的，为什么市场上每一种产品都有它的客户群，就是这个道理，皓海盛红胶锡膏希望可以帮到您

5. LED共晶焊与倒装的区别

共晶焊：只是改善了固晶工艺它任然需要引线键合；倒装：在底版板上直接安装芯片权的方法之一。连接芯片表面和底板时，并不是像引线键合一样那样利用引线连接，而是利用阵列状排列的，名为焊点的突起状端子进行连接。 说白了，共晶就是改善了我们现在的固晶方式不需要银胶，倒装就是不仅仅不需要银胶还不需要焊线。

6. LED 的焊接作业用什么锡条好

普通焊锡丝都可以。抄
操作需要注意如下：
1、生产时一定要戴防静电手套，防静电手腕，电烙铁一定要接地，严禁徒手触摸白光LED的两只引线脚。因为白光LED的防静电为100V，而在工作台上工作湿度为60%-90%时人体的静电会损坏发光二极管的结晶层，工作一段时间后（如10小时）二极管就会失效（不亮），严重时会立即失效。
2、焊接温度为260℃，3秒。温度过高，时间过长会烧坏芯片。为了更好地保护LED，LED胶体与PC板应保持2mm以上的间距，以使焊接热量在引脚中散除。
3、LED的正常工作电流为20mA，电压的微小波动（如0.1V）都将引起电流的大幅度波动（10%-15%）。因此，在电路设计时应根据LED的压降配对不同的限流电阻，以保证LED处于最佳工作状态。电流过大，LED会缩短寿命，电流过小，达不到所需光强。

7. LED灯珠用什么方法焊接比较快

小电路板一般用锡锅就可以了

一般大点的地方都有卖的

波峰焊不是一般人能用的

8. 现在led倒装芯片真空焊接怎么样有知道国产真空回流焊不，在线等~

led倒装芯片使用真空焊接能使焊料能够充分和快速润湿，实现较高的焊接质量。而且在X射线检测结果表明，真空焊接具有较低的空洞率。

9. led正装和倒装的区别

一、LED正装

正装结构，上面通常涂敷一层环氧树脂，下面采用蓝宝石为衬底，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN、发光层、N-GaN、衬底。

正装结构有源区发出的光经由P型GaN区和透明电极出射，采用的方法是在P型GaN上制备金属透明电极，使电流稳定扩散，达到均匀发光的目的。

三、LED正装与倒装区别

(1).固晶：正装小芯片采取在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片，而倒装芯片多采用导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连，且本身支架基座通常为导热系数较高的铜材；

(2).焊线：正装小芯片通常封装后驱动电流较小且发热量也相对较小，因此采用正负电极各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金线与支架正负极相连即可；而倒装功率芯片驱动电流一般在350mA以上，芯片尺寸较大，因此为了保证电流注入芯片过程中的均匀性及稳定性，通常在芯片正负级与支架正负极间各自焊接两根φ1.0～φ1.25mil的金线；

(3).荧光粉选择：正装小芯片一般驱动电流在20mA左右，而倒装功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用过程中各自的发热量相差甚大，而现在市场通用的荧光粉主要为YAG，YAG自身耐高温为127℃左右，而芯片点亮后，结温(Tj)会远远高于此温度，因此在散热处理不好的情况下，荧光粉长时间老化衰减严重，因此在倒装芯片封装过程中建议使用耐高温性能更好的硅酸盐荧光粉；

(4).胶体的选择：正装小芯片发热量较小，因此传统的环氧树脂就可以满足封装的需要；而倒装功率芯片发热量较大，需要采用硅胶来进行封装；硅胶的选择过程中为了匹配蓝宝石衬底的折射率，建议选择折射率较高的硅胶(>1.51)，防止折射率较低导致全反射临界角增大而使大部分的光在封装胶体内部被全反射而损失掉；同时，硅胶弹性较大，与环氧树脂相比热应力比环氧树脂小很多，在使用过程中可以对芯片及金线起到良好的保护作用，有利于提高整个产品的可靠性；

(5).点胶：正装小芯片的封装通常采用传统的点满整个反射杯覆盖芯片的方式来封装，而倒装功率芯片封装过程中，由于多采用平头支架，因此为了保证整个荧光粉涂敷的均匀性提高出光率而建议采用保型封装(Conformal-Coating)的工艺；

(6).灌胶成型：正装芯片通常采用在模粒中先灌满环氧树脂然后将支架插入高温固化的方式；而倒装功率芯片则需要采用从透镜其中一个进气孔中慢慢灌入硅胶的方式来填充，填充的过程中应提高操作避免烘烤后出现气泡和裂纹、分层等现象影响成品率；

(7).散热设计：正装小芯片通常无额外的散热设计；而倒装功率芯片通常需要在支架下加散热基板，特殊情况下在散热基板后添加风扇等方式来散热；在焊接支架到铝基板的过程中 建议使用功率<30W的恒温电烙铁温度低于230℃，停留时间<3S来焊接；